产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG33N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG33N60E-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) TO-220
型号:
TK20E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK20E60WS1VX-ND
别名:TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-247
型号:
IXFH16N60P3
仓库库存编号:
IXFH16N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP20N60C5
仓库库存编号:
IXKP20N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH20N60C5
仓库库存编号:
IXKH20N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N60X
仓库库存编号:
IXFQ24N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH104N60F_F085
仓库库存编号:
FCH104N60F_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-220
型号:
IXFP30N60X
仓库库存编号:
IXFP30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30.8A(Ta) 240W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK31V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK31V60WLVQCT-ND
别名:TK31V60WLVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-263
型号:
IXFA30N60X
仓库库存编号:
IXFA30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ22N60P
仓库库存编号:
IXTQ22N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP24N60C5
仓库库存编号:
IXKP24N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP24N60C5M
仓库库存编号:
IXKP24N60C5M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001658390
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647032
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40G
仓库库存编号:
IRFIBC40G-ND
别名:*IRFIBC40G
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-247-3
型号:
IXFH24N60X
仓库库存编号:
IXFH24N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) TO-247
型号:
TK20N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK20N60WS1VF-ND
别名:TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18F60B
仓库库存编号:
APT18F60B-ND
别名:APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 415W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT23F60B
仓库库存编号:
APT23F60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC15N60C5
仓库库存编号:
IXKC15N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA16N60P3
仓库库存编号:
IXFA16N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647038
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N60P
仓库库存编号:
IXFH22N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH24N60C5
仓库库存编号:
IXKH24N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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