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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA14N60P
  仓库库存编号：IXFA14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH22N60N
  仓库库存编号：FCH22N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ14N60P
  仓库库存编号：IXTQ14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP13N60C5
  仓库库存编号：IXKP13N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP13N60C5M
  仓库库存编号：IXKP13N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK12A60WS4VX-ND
  别名：TK12A60W,S4VX(M
  TK12A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6020ANJTL
  仓库库存编号：R6020ANJTL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N60P
  仓库库存编号：IXFH14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N60
  仓库库存编号：FQA24N60FS-ND
  别名：FQA24N60-ND
  FQA24N60FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF20N60
  仓库库存编号：FCPF20N60-ND
  别名：FCPF20N60_NL
  FCPF20N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ18N60P
  仓库库存编号：IXTQ18N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP16N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 134.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP16N60N_F102
  仓库库存编号：FCP16N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 26A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R120P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R120P7XKSA1-ND
  别名：SP001658376
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R120P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R120P7XKSA1-ND
  别名：SP001647028
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP20N60C5M
  仓库库存编号：IXKP20N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB33N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB33N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP24N60X
  仓库库存编号：IXFP24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXTP18N60PM
  仓库库存编号：IXTP18N60PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG30N60E-E3-ND
  别名：SIHG30N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH18N60P
  仓库库存编号：IXFH18N60P-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA24N60X
  仓库库存编号：IXFA24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50LCPBF
  仓库库存编号：IRFPC50LCPBF-ND
  别名：*IRFPC50LCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R120P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R120P7XKSA1-ND
  别名：SP001658382
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP22N60N_F102
  仓库库存编号：FCP22N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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