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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC40GLCPBF
  仓库库存编号：IRFIBC40GLCPBF-ND
  别名：*IRFIBC40GLCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA10N60P
  仓库库存编号：IXTA10N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG17N60D-E3
  仓库库存编号：SIHG17N60D-E3-ND
  别名：SIHG17N60D-E3CT
  SIHG17N60D-E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG17N60D-GE3
  仓库库存编号：SIHG17N60D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60
  仓库库存编号：FCA20N60-ND
  别名：FCA20N60_NL
  FCA20N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60_F109
  仓库库存编号：FCA20N60_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6015ANJTL
  仓库库存编号：R6015ANJTL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP10N60P
  仓库库存编号：IXTP10N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 29.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF9N60NTYDTU
  仓库库存编号：FCPF9N60NTYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP10N60C5
  仓库库存编号：IXKP10N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK12E60WS1VX-ND
  别名：TK12E60W,S1VX(S
  TK12E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 116W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP13N60N
  仓库库存编号：FCP13N60NFS-ND
  别名：FCP13N60N-ND
  FCP13N60NFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP14N60P
  仓库库存编号：IXTP14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60E
  仓库库存编号：FCP190N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA14N60P
  仓库库存编号：IXTA14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 37A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 417W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB42S60L
  仓库库存编号：AOB42S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60EL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK10Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK10Q60WS1VQ-ND
  别名：TK10Q60W,S1VQ(S
  TK10Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK15A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK15A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK15A60D(STA4QM)
  TK15A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6018ANJTL
  仓库库存编号：R6018ANJTL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK10A60WS4VX-ND
  别名：TK10A60W,S4VX(M
  TK10A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N60P3
  仓库库存编号：IXFH14N60P3-ND
  
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