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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP7N60P
  仓库库存编号：IXTP7N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK6A60WS4VX-ND
  别名：TK6A60W,S4VX(M
  TK6A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK8Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK8Q60WS1VQ-ND
  别名：TK8Q60W,S1VQ(S
  TK8Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ASTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC30STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6012ANJTL
  仓库库存编号：R6012ANJTL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP7N60P3
  仓库库存编号：IXFP7N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB23N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M010A060F
  仓库库存编号：1560-1206-5-ND
  别名：1560-1206-1
  1560-1206-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001658302
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001647026
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60EL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA22N60EL-E3
  仓库库存编号：SIHA22N60EL-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60EL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF13N60NT
  仓库库存编号：FCPF13N60NT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP9N60N IN TO220 F102 T/F OPTIO
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP9N60N_F102
  仓库库存编号：FCP9N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK8A60WS4VX-ND
  别名：TK8A60W,S4VX(M
  TK8A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK11A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK11A60D(STA4QM)
  TK11A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R180P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R180P7SXKSA1-ND
  别名：SP001606066
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 75W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXTP14N60PM
  仓库库存编号：IXTP14N60PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFBC40LPBF
  仓库库存编号：IRFBC40LPBF-ND
  别名：*IRFBC40LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP10N60P
  仓库库存编号：IXFP10N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220
  
  型号：TK16A60W,S4X
  仓库库存编号：TK16A60WS4X-ND
  别名：TK16A60WS4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP10N60PM
  仓库库存编号：IXTP10N60PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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