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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A60DA(STA4QM)
  TK8A60DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK6Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK6Q60WS1VQ-ND
  别名：TK6Q60W,S1VQ(S
  TK6Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta） 88.3W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK10V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK10V60WLVQCT-ND
  别名：TK10V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60N
  仓库库存编号：FCP11N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N60P
  仓库库存编号：IXTA3N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 463W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB20C60L
  仓库库存编号：AOB20C60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30SPBF
  仓库库存编号：IRFBC30SPBF-ND
  别名：*IRFBC30SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK7A60WS4VX-ND
  别名：TK7A60W,S4VX(M
  TK7A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220
  
  型号：TK10A60W,S4X
  仓库库存编号：TK10A60WS4X-ND
  别名：TK10A60WS4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK7Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK7Q60WS1VQ-ND
  别名：TK7Q60W,S1VQ(S
  TK7Q60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF7N60NT
  仓库库存编号：FCPF7N60NT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP18N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP18N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA18N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA18N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP23N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK9A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK9A60D(STA4QM)
  TK9A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC20STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC20STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R280P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658160
  
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB18N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB18N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N60D-E3
  仓库库存编号：SIHP17N60D-E3-ND
  别名：SIHP17N60DE3
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N60D-GE3
  仓库库存编号：SIHP17N60D-GE3-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60T
  仓库库存编号：FCPF11N60T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 89W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY4N60P
  仓库库存编号：IXTY4N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF23N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP11N60N_F102
  仓库库存编号：FCP11N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R280P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R280P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658180
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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