产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 104W(Tc) TO-220
型号:
AOT7S60L
仓库库存编号:
785-1269-5-ND
别名:785-1269-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 34W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF7S60L
仓库库存编号:
785-1521-5-ND
别名:AOTF7S60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
DMG3N60SCT
仓库库存编号:
DMG3N60SCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 25W(Tc)
型号:
AOWF7S60
仓库库存编号:
AOWF7S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD7N60ET4-GE3
仓库库存编号:
SIHD7N60ET4-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD7N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHD7N60ET5-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N60C
仓库库存编号:
FQPF10N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) I-Pak
型号:
SIHU7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHU7N60E-GE3-ND
别名:SIHU7N60EGE3
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK6P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK6P60WRVQCT-ND
别名:TK6P60WRVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_NEW
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R280P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R280P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R280P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N745U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N745U1-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N745U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N745U1-35G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 104W(Tc) TO-262
型号:
AOW7S60
仓库库存编号:
AOW7S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 104W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB7S60L
仓库库存编号:
785-1263-1-ND
别名:785-1263-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30ALPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ALPBF-ND
别名:*IRFBC30ALPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB12N60FDL
仓库库存编号:
785-1617-1-ND
别名:785-1617-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF380N60
仓库库存编号:
FCPF380N60FS-ND
别名:FCPF380N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK7P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK7P60WRVQCT-ND
别名:TK7P60WRVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Monolithic Power Systems Inc.
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
型号:
LN60A01ES-LF
仓库库存编号:
LN60A01ES-LF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 160mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2460N3-G-P003
仓库库存编号:
VN2460N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 160mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2460N3-G-P014
仓库库存编号:
VN2460N3-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHD7N60E-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7SAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 114W(Tc) DPAK-3
型号:
NDD60N360U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N360U1T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-251
型号:
SIHU7N60E-E3
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SIHU7N60E-E3-ND
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