产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150.6W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
TSM60NB190CM2 RNG
仓库库存编号：
TSM60NB190CM2 RNGCT-ND
别名：TSM60NB190CM2 RNGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150.6W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
TSM60NB190CM2 RNG
仓库库存编号：
TSM60NB190CM2 RNGDKR-ND
别名：TSM60NB190CM2 RNGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL19N60M2
仓库库存编号：
STL19N60M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） I2PAK
型号：
STB10NK60Z-1
仓库库存编号：
STB10NK60Z-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB9NK60ZT4
仓库库存编号：
497-12544-2-ND
别名：497-12544-2
STB9NK60ZT4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF7N60M2
仓库库存编号：
497-13949-5-ND
别名：497-13949-5
STF7N60M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF24NM60N
仓库库存编号：
497-11868-5-ND
别名：497-11868-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R6004KNX
仓库库存编号：
R6004KNX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF18NM60ND
仓库库存编号：
497-13866-5-ND
别名：497-13866-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI13NM60N
仓库库存编号：
497-12857-5-ND
别名：497-12857-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8NM60ND
仓库库存编号：
STF8NM60ND-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
型号：
AOTF12N60L
仓库库存编号：
785-1788-ND
别名：785-1788
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM60N900CH C5G
仓库库存编号：
TSM60N900CH C5G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 169W（Tc） TO-220
型号：
STP26N60M2
仓库库存编号：
STP26N60M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 41.7W（Tc） ITO-220S
型号：
TSM60NB600CF C0G
仓库库存编号：
TSM60NB600CF C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3W（Ta），90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL13NM60N
仓库库存编号：
497-11845-1-ND
别名：497-11845-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM60N600CH C5G
仓库库存编号：
TSM60N600CH C5G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 62.5W（Tc） ITO-220S
型号：
TSM60NB380CF C0G
仓库库存编号：
TSM60NB380CF C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM60NB380CH C5G
仓库库存编号：
TSM60NB380CH C5G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） ITO-220
型号：
TSM60N900CI C0G
仓库库存编号：
TSM60N900CI C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247
型号：
STW20N60M2-EP
仓库库存编号：
STW20N60M2-EP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta），12A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL18NM60N
仓库库存编号：
497-11847-1-ND
别名：497-11847-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） ITO-220
型号：
TSM60N600CI C0G
仓库库存编号：
TSM60N600CI C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
TSM60N380CZ C0G
仓库库存编号：
TSM60N380CZ C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13NK60Z
仓库库存编号：
497-3257-5-ND
别名：497-3257-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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