产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
型号：
AOT12N60
仓库库存编号：
785-1192-5-ND
别名：785-1192-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASPBF
仓库库存编号：
IRFBC30ASPBF-ND
别名：*IRFBC30ASPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU13N60M2
仓库库存编号：
497-13885-5-ND
别名：497-13885-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA12N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA12N60E-E3-ND
别名：SIHA12N60E-E3CT
SIHA12N60E-E3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190E6
仓库库存编号：
IPP60R190E6-ND
别名：IPP60R190E6XKSA1
SP000797378
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA15N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA15N60E-E3-ND
别名：SIHA15N60E-E3CT
SIHA15N60E-E3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R125P6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R125P6XKSA1-ND
别名：SP001114652
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
型号：
SIHB21N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB21N60EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
STP36N60M6
仓库库存编号：
497-17552-ND
别名：497-17552
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 208W（Tc） TO-247
型号：
STW36N60M6
仓库库存编号：
497-17553-ND
别名：497-17553
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-GE3-ND
别名：SIHB30N60EGE3
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 134.4W（Tc） TO-3P
型号：
FCA16N60N
仓库库存编号：
FCA16N60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB28N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB28N60EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 50A
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247
型号：
STW58N60DM2AG
仓库库存编号：
497-16131-5-ND
别名：497-16131-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 624W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT34F60B
仓库库存编号：
APT34F60B-ND
别名：APT34F60BMI
APT34F60BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 481W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT77N60BC6
仓库库存编号：
APT77N60BC6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT40N60JCU2
仓库库存编号：
APT40N60JCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30mA（Tc） 500mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM126CX RFG
仓库库存编号：
TSM126CX RFGTR-ND
别名：TSM126CX RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30mA（Tc） 500mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM126CX RFG
仓库库存编号：
TSM126CX RFGCT-ND
别名：TSM126CX RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 30mA（Tc） 500mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM126CX RFG
仓库库存编号：
TSM126CX RFGDKR-ND
别名：TSM126CX RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ2LN60K3-AP
仓库库存编号：
497-13391-1-ND
别名：497-13391-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1NB60CW RPG
仓库库存编号：
TSM1NB60CW RPGTR-ND
别名：TSM1NB60CW RPGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1NB60CW RPG
仓库库存编号：
TSM1NB60CW RPGCT-ND
别名：TSM1NB60CW RPGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1NB60CW RPG
仓库库存编号：
TSM1NB60CW RPGDKR-ND
别名：TSM1NB60CW RPGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB1R4CP ROGTR-ND
别名：TSM60NB1R4CP ROGTR
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