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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R230P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R230P6FKSA1-ND
  别名：SP001017088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD13N60M2
  仓库库存编号：497-13862-1-ND
  别名：497-13862-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24N60M2
  仓库库存编号：497-14214-1-ND
  别名：497-14214-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NM60
  仓库库存编号：497-3184-5-ND
  别名：497-3184-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 350W（Tc） TO-247
  
  型号：STW56N60M2
  仓库库存编号：497-15577-5-ND
  别名：497-15577-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW42N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15883-5-ND
  别名：497-15883-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD1N60
  仓库库存编号：785-1179-1-ND
  别名：785-1179-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD04N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD04N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD04N60ZT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL3NM60N
  仓库库存编号：497-13351-1-ND
  别名：497-13351-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB27S60L
  仓库库存编号：785-1248-1-ND
  别名：785-1248-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NM60ND
  仓库库存编号：497-8442-5-ND
  别名：497-8442-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP26NM60N
  仓库库存编号：497-9064-5-ND
  别名：497-9064-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40N60M2
  仓库库存编号：497-14963-1-ND
  别名：497-14963-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP21NM60ND
  仓库库存编号：497-8444-5-ND
  别名：497-8444-5
  
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  MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1HNK60R-AP
  仓库库存编号：497-15648-1-ND
  别名：497-15648-1
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFRC20TRPBF
  仓库库存编号：IRFRC20PBFCT-ND
  别名：*IRFRC20TRPBF
  IRFRC20PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380C6ATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R190P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R190P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R190P6ATMA1CT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Ta） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N60M2
  仓库库存编号：497-13948-5-ND
  别名：497-13948-5
  STF6N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60E,S4X
  仓库库存编号：TK10A60ES4X-ND
  别名：TK10A60E,S4X(S
  TK10A60E,S5X
  TK10A60E,S5X(M
  TK10A60ES4X
  TK10A60ES4X(S
  TK10A60ES4X(S-ND
  TK10A60ES5X
  TK10A60ES5X-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
  别名：IRFS9N60ATRLPBFCT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60M2
  仓库库存编号：497-14972-1-ND
  别名：497-14972-1
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R099C6
  仓库库存编号：IPB60R099C6CT-ND
  别名：IPB60R099C6CT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP24N60DM2
  仓库库存编号：497-14571-5-ND
  别名：497-14571-5
  STP24N60DM2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60E-GE3-ND
  别名：SIHB22N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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