产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N60E-GE3-ND
别名：SIHP12N60E-GE3CT
SIHP12N60E-GE3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R280C6
仓库库存编号：
IPW60R280C6-ND
别名：IPW60R280C6FKSA1
SP000645032
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R160P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R160P6XKSA1-ND
别名：SP001017068
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） TO-220
型号：
STP10NM60ND
仓库库存编号：
497-12276-ND
别名：497-12276
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 231W（Tc） TO-247
型号：
R6020KNZ1C9
仓库库存编号：
R6020KNZ1C9-ND
别名：R6020KNZ1C9TR
R6020KNZ1C9TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-247
型号：
STW13N60M2
仓库库存编号：
497-15012-5-ND
别名：497-15012-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF10NM60ND
仓库库存编号：
497-12246-ND
别名：497-12246
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-220FM
型号：
R6030KNX
仓库库存编号：
R6030KNX-ND
别名：R6030KNXTR
R6030KNXTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 24A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 74W（Tc） TO-3PF
型号：
R6024KNZC8
仓库库存编号：
R6024KNZC8-ND
别名：R6024KNZC8TR
R6024KNZC8TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 24A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） TO-247
型号：
R6024KNZ1C9
仓库库存编号：
R6024KNZ1C9-ND
别名：R6024KNZ1C9TR
R6024KNZ1C9TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 305W（Tc） TO-247
型号：
R6030KNZ1C9
仓库库存编号：
R6030KNZ1C9-ND
别名：R6030KNZ1C9TR
R6030KNZ1C9TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-3PF
型号：
R6030KNZC8
仓库库存编号：
R6030KNZC8-ND
别名：R6030KNZC8TR
R6030KNZC8TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
型号：
TK20N60W5,S1VF
仓库库存编号：
TK20N60W5S1VF-ND
别名：TK20N60W5,S1VF(S
TK20N60W5S1VF
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
型号：
TK25E60X,S1X
仓库库存编号：
TK25E60XS1X-ND
别名：TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-247
型号：
TK25N60X5,S1F
仓库库存编号：
TK25N60X5S1F-ND
别名：TK25N60X5,S1F(S
TK25N60X5S1F
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
型号：
TK25E60X5,S1X
仓库库存编号：
TK25E60X5S1X-ND
别名：TK25E60X5,S1X(S
TK25E60X5S1X
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI22NM60N
仓库库存编号：
497-12259-ND
别名：497-12259
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 379W（Tc） TO-247
型号：
R6035KNZ1C9
仓库库存编号：
R6035KNZ1C9-ND
别名：R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP28NM60ND
仓库库存编号：
497-14196-5-ND
别名：497-14196-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW15NM60N
仓库库存编号：
497-7618-5-ND
别名：497-7618-5
STW15NM60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
型号：
STW43NM60N
仓库库存编号：
497-8460-5-ND
别名：497-8460-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT47N60BC3G
仓库库存编号：
APT47N60BC3G-ND
别名：APT47N60BC3GMI
APT47N60BC3GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R2K0C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R2K0C6AKMA1-ND
别名：SP001399934
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 27W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN60R800CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAN60R800CEXKSA1-ND
别名：SP001508822
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
详细描述：N 沟道 9.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN60R650CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAN60R650CEXKSA1-ND
别名：SP001508816
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 600V,
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