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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N90
  仓库库存编号：IXFH6N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N90
  仓库库存编号：IXFH10N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20S
  仓库库存编号：IRFBF20S-ND
  别名：*IRFBF20S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBF20G
  仓库库存编号：IRFIBF20G-ND
  别名：*IRFIBF20G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBF30G
  仓库库存编号：IRFIBF30G-ND
  别名：*IRFIBF30G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.7A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF40
  仓库库存编号：IRFPF40-ND
  别名：*IRFPF40
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBF20L
  仓库库存编号：IRFBF20L-ND
  别名：*IRFBF20L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20STRL
  仓库库存编号：IRFBF20STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20STRR
  仓库库存编号：IRFBF20STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBF30L
  仓库库存编号：IRFBF30L-ND
  别名：*IRFBF30L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF30S
  仓库库存编号：IRFBF30S-ND
  别名：*IRFBF30S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF30STRL
  仓库库存编号：IRFBF30STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF30STRR
  仓库库存编号：IRFBF30STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 26A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE26NA90
  仓库库存编号：497-3168-5-ND
  别名：497-3168-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY30NK90Z
  仓库库存编号：497-4431-5-ND
  别名：497-4431-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 40A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE40NK90ZD
  仓库库存编号：497-4337-5-ND
  别名：497-4337-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 28A（Tc） 500W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE30NK90Z
  仓库库存编号：497-4336-5-ND
  别名：497-4336-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF30SPBF
  仓库库存编号：IRFBF30SPBF-ND
  别名：*IRFBF30SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90C
  仓库库存编号：FQA11N90C-ND
  别名：Q2658628A
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N90TU
  仓库库存编号：FQU2N90TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2NA90
  仓库库存编号：FQPF2NA90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.8A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2NA90
  仓库库存编号：FQP2NA90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N90
  仓库库存编号：FQPF2N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.2A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI2N90TU
  仓库库存编号：FQI2N90TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 2.2A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2N90TM
  仓库库存编号：FQB2N90TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
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