产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(297)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(11)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(286)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(7)
Cree/Wolfspeed(7)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(64)
Global Power Technologies Group(13)
Infineon Technologies(24)
IXYS(51)
Microsemi Corporation(18)
ON Semiconductor(5)
Renesas Electronics America(6)
Sanken(1)
STMicroelectronics(50)
Taiwan Semiconductor Corporation(12)
Toshiba Semiconductor and Storage(10)
Vishay Siliconix(27)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号：
APTC90SKM60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号：
APTC90DAM60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE39N90
仓库库存编号：
IXFE39N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN39N90
仓库库存编号：
IXFN39N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC90H12T1G
仓库库存编号：
APTC90H12T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1
型号：
APTC90AM60T1G
仓库库存编号：
APTC90AM60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP2
型号：
APTC90AM602G
仓库库存编号：
APTC90AM602G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90DAM60CT1G
仓库库存编号：
APTC90DAM60CT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC90SKM60CT1G
仓库库存编号：
APTC90SKM60CT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP4
型号：
APTC90AM60SCTG
仓库库存编号：
APTC90AM60SCTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3
型号：
APTC90HM60T3G
仓库库存编号：
APTC90HM60T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP4
型号：
APTC90H12SCTG
仓库库存编号：
APTC90H12SCTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC90TAM60TPG
仓库库存编号：
APTC90TAM60TPG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 900V 85A Chassis Mount Y3-Li
型号：
VMM90-09F
仓库库存编号：
VMM90-09F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名：IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号：
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名：IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R800C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R800C3XKSA1-ND
别名：IPI90R800C3
IPI90R800C3-ND
SP000413730
SP000683086
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号：
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名：IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名：IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R340C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R340C3XKSA1-ND
别名：IPI90R340C3
IPI90R340C3-ND
SP000413726
SP000683082
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 135W（Tc） TO-220AB
型号：
STP6NB90
仓库库存编号：
497-2786-5-ND
别名：497-2786-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP5NK90Z
仓库库存编号：
497-4383-5-ND
别名：497-4383-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF30
仓库库存编号：
IRFPF30-ND
别名：*IRFPF30
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF20
仓库库存编号：
IRFBF20-ND
别名：*IRFBF20
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 900V,
含铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
