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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 400mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92
  
  型号：2SK4150TZ-E
  仓库库存编号：2SK4150TZ-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 65A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK2511DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK2511DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2555DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2555DPA-00#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2557DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2557DPA-00#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 450mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD213
  仓库库存编号：IRFD213-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M008A025CG
  仓库库存编号：GP1M008A025CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A025FG
  仓库库存编号：GP1M008A025FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A025HG
  仓库库存编号：GP1M008A025HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M016A025PG
  仓库库存编号：GP1M016A025PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 9.4A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9P25TM
  仓库库存编号：FQB9P25TMCT-ND
  别名：FQB9P25TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M008A025PG
  仓库库存编号：1560-1166-5-ND
  别名：1560-1166-1
  1560-1166-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M016A025CG
  仓库库存编号：1560-1183-1-ND
  别名：1560-1183-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A025FG
  仓库库存编号：1560-1184-5-ND
  别名：1560-1184-1
  1560-1184-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M016A025HG
  仓库库存编号：1560-1185-5-ND
  别名：1560-1185-1
  1560-1185-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 350mA（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3461-TL-H
  仓库库存编号：CPH3461-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 10A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 10A（Ta） 25W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2192WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2192WP-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7453
  仓库库存编号：IRF7453-ND
  别名：*IRF7453
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25D
  仓库库存编号：IRFR12N25D-ND
  别名：*IRFR12N25D
  SP001572818
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU12N25D
  仓库库存编号：IRFU12N25D-ND
  别名：*IRFU12N25D
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7453TR
  仓库库存编号：IRF7453TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327
  仓库库存编号：BSP317PE6327INCT-ND
  别名：BSP317PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327
  仓库库存编号：BSS192PE6327INCT-ND
  别名：BSS192PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 430W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4232PBF
  仓库库存编号：IRFP4232PBF-ND
  别名：Q2102191
  SP001571078
  
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DPBF-ND
  别名：*IRFR12N25DPBF
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU12N25DPBF
  仓库库存编号：IRFU12N25DPBF-ND
  别名：*IRFU12N25DPBF
  SP001557708
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 250V,
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