产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N04S2-H4
仓库库存编号：
SPB80N04S2-H4-ND
别名：SP000016358
SPB80N04S2H4T
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB80N04S2L-03-ND
别名：SP000016354
SPB80N04S2L03T
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N04S2-04
仓库库存编号：
SPI80N04S2-04-ND
别名：SP000015085
SPI80N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2-04
仓库库存编号：
SPP100N04S2-04-ND
别名：SP000013718
SPP100N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP100N04S2L-03-ND
别名：SP000013719
SPP100N04S2L03
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-04
仓库库存编号：
SPP80N04S2-04-ND
别名：SP000012470
SPP80N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-H4
仓库库存编号：
SPP80N04S2-H4-ND
别名：SP000013150
SPP80N04S2H4
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N04S2L-03-ND
别名：SP000012472
SPP80N04S2L03
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4104-701PBF
仓库库存编号：
IRFU4104-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
64-2105PBF
仓库库存编号：
64-2105PBF-ND
别名：IRF1404ZLPBF
IRF1404ZLPBF-ND
SP001519330
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3114ZPBF
仓库库存编号：
IRLU3114ZPBF-ND
别名：SP001567310
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7703GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7703GTRPBFCT-ND
别名：IRF7703GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404ZLPBF
仓库库存编号：
IRL1404ZLPBF-ND
别名：SP001552544
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 59A（Tc） 130W（Tc） TO-263-5
型号：
IRLBD59N04ETRLP
仓库库存编号：
IRLBD59N04ETRLP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104STRLPBF
仓库库存编号：
IRL1104STRLPBF-ND
别名：SP001576402
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7704GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7704GTRPBFCT-ND
别名：IRF7704GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7703TRPBF
仓库库存编号：
IRF7703TRPBFCT-ND
别名：IRF7703TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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