产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
JFET N-CHAN 40V 3SMD
详细描述:JFET N-Channel 40V 360mW Surface Mount 3-UB (3.09x2.45)
型号:
2N4093UB
仓库库存编号:
2N4093UB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
JFET N-CHAN 40V 3SMD
详细描述:JFET N-Channel 40V 360mW Surface Mount 3-UB (3.09x2.45)
型号:
2N4091UB
仓库库存编号:
2N4091UB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述:JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18
型号:
2N4856
仓库库存编号:
2N4856-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述:JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18
型号:
2N4857
仓库库存编号:
2N4857-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述:JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18
型号:
2N4858
仓库库存编号:
2N4858-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
JFET N-CHAN 40V 3SMD
详细描述:JFET N-Channel 40V 360mW Surface Mount 3-UB (3.09x2.45)
型号:
2N4858UB
仓库库存编号:
2N4858UB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 40V 250MW SOT23
详细描述:JFET N-Channel 40V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
型号:
BSR57,215
仓库库存编号:
BSR57,215-ND
别名:933410750215
BSR57 T/R
BSR57 T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC70N04S54R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC70N04S54R6ATMA1-ND
别名:SP001418124
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1-ND
别名:SP001418126
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC90N04S53R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC90N04S53R6ATMA1-ND
别名:SP001418114
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 62W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC90N04S5L3R3ATMA1
仓库库存编号:
IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
别名:SP001418122
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N04S412ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S412ATMA1-ND
别名:SP000705560
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S52R8ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S52R8ATMA1-ND
别名:SP001418102
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
别名:SP001418106
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S412AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S412AATMA1-ND
别名:SP000938098
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名:IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S3-08
仓库库存编号:
IPD50N04S308ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S3-08CT
IPD50N04S3-08CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S406ATMA1-ND
别名:SP001121640
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名:SP001161210
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 70A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD70P04P4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD70P04P4L08ATMA1-ND
别名:SP000840206
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ028N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ028N04LSATMA1-ND
别名:SP001067016
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 85A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD85P04P407ATMA1
仓库库存编号:
IPD85P04P407ATMA1-ND
别名:SP000842066
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 85A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD85P04P4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD85P04P4L06ATMA1-ND
别名:SP000842056
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 54W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S4L08AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L08AATMA1-ND
别名:SP001265576
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 40V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P4L08ATMA1-ND
别名:SP000840208
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