产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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分立半导体产品
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 300V 9A
详细描述:通孔 9A(Tc) 20W(Tc) TO-46
型号:
GA05JT03-46
仓库库存编号:
1242-1252-ND
别名:1242-1252
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN30H4D0L-7
仓库库存编号:
DMN30H4D0L-7DICT-ND
别名:DMN30H4D0L-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 300V 19A TO262
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 210W(Tc) TO-262-3
型号:
AUIRFSL6535
仓库库存编号:
AUIRFSL6535-ND
别名:SP001522854
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF22N30
仓库库存编号:
FQPF22N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP36N30P3
仓库库存编号:
IXFP36N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA36N30P3
仓库库存编号:
IXFA36N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 94A(Tc) 1040W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ94N30P3
仓库库存编号:
IXFQ94N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 94A(Tc) 1040W(Tc) TO-268
型号:
IXFT94N30P3
仓库库存编号:
IXFT94N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N30Q3
仓库库存编号:
IXFT50N30Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1130W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N30P3
仓库库存编号:
IXFX120N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1130W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N30P3
仓库库存编号:
IXFK120N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 150A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 1300W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK150N30P3
仓库库存编号:
IXFK150N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
详细描述:表面贴装 N 沟道 210A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB210N30P3
仓库库存编号:
IXFB210N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 108A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL210N30P3
仓库库存编号:
IXFL210N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 192A(Tc) 1500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN210N30P3
仓库库存编号:
IXFN210N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP130,115
仓库库存编号:
1727-4928-1-ND
别名:1727-4928-1
568-6220-1
568-6220-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N30T
仓库库存编号:
IXFX120N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
STD10NF30
仓库库存编号:
STD10NF30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NK30Z
仓库库存编号:
497-7502-5-ND
别名:497-7502-5
STP12NK30Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB46NF30
仓库库存编号:
STB46NF30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVRG
仓库库存编号:
APT30M70BVRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 1.2A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta),4A(Tc) 3.1W(Ta),33W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7460
仓库库存编号:
785-1313-1-ND
别名:785-1313-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 36W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF12N30
仓库库存编号:
785-1385-5-ND
别名:785-1385-5
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 300V 11.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 132W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N30L
仓库库存编号:
785-1409-5-ND
别名:785-1409-5
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85mA(Tj) 360mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
TN2130K1-G
仓库库存编号:
TN2130K1-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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