产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4137PBF
仓库库存编号：
IRFP4137PBF-ND
别名：SP001571068
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 300V 210mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223
型号：
BSP230,135
仓库库存编号：
1727-5487-1-ND
别名：1727-5487-1
568-6959-1
568-6959-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 0.9A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta），2.5A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7462
仓库库存编号：
785-1314-1-ND
别名：785-1314-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN2530N8-G
仓库库存编号：
DN2530N8-GCT-ND
别名：DN2530N8-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 210mA（Ta） 900mW（Ta） SOT-89
型号：
DMN30H14DLY-13
仓库库存编号：
DMN30H14DLY-13DICT-ND
别名：DMN30H14DLY-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 550mA（Ta） 630mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMN30H4D0LFDE-7
仓库库存编号：
DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND
别名：DMN30H4D0LFDE-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB28N30TM
仓库库存编号：
FDB28N30TMCT-ND
别名：FDB28N30TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 313W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB38N30U
仓库库存编号：
FDB38N30UCT-ND
别名：FDB38N30UCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA44N30
仓库库存编号：
FQA44N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB46N30M5
仓库库存编号：
497-14964-1-ND
别名：497-14964-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH40N30Q
仓库库存编号：
IXFH40N30Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 150A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX150N30P3
仓库库存编号：
IXFX150N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC13DN30NSFDATMA1
仓库库存编号：
BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
别名：BSC13DN30NSFDATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3N30
仓库库存编号：
FQP3N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 300V 14A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF14N30
仓库库存编号：
FDPF14N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 160A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK160N30T
仓库库存编号：
IXFK160N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 110A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN140N30P
仓库库存编号：
IXFN140N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ36N30P
仓库库存编号：
IXTQ36N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ88N30P
仓库库存编号：
IXTQ88N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH88N30P
仓库库存编号：
IXTH88N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH40N30
仓库库存编号：
IXTH40N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX160N30T
仓库库存编号：
IXFX160N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 73A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN73N30
仓库库存编号：
IXFN73N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 98W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP9N30
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FQP9N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 300V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14.4A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP14N30
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FQP14N30-ND
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