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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 100W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4020PBF
  仓库库存编号：IRFSL4020PBF-ND
  别名：SP001565208
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5020TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5020TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5020TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7492TRPBF
  仓库库存编号：IRF7492TRPBFCT-ND
  别名：IRF7492TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Ta），20A（Tc） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5220TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5220TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5220TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ31HXKSA1-ND
  别名：BUZ31 H
  BUZ31 H-ND
  BUZ31H
  SP000682992
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31L H
  仓库库存编号：BUZ31L H-ND
  别名：BUZ31LH
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73HXKSA1-ND
  别名：BUZ73 H
  BUZ73 H-ND
  BUZ73H
  SP000683000
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ73H3046XKSA1-ND
  别名：BUZ73 H3046
  BUZ73 H3046-ND
  BUZ73H3046
  SP000683002
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H
  仓库库存编号：BUZ73A H-ND
  别名：BUZ73AH
  BUZ73AHXKSA1
  SP000683004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H3046
  仓库库存编号：BUZ73A H3046-ND
  别名：BUZ73AH3046
  BUZ73AH3046XKSA1
  SP000683006
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73ALHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73ALHXKSA1-ND
  别名：BUZ73AL H
  BUZ73AL H-ND
  BUZ73ALH
  SP000683012
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73LHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73LHXKSA1-ND
  别名：BUZ73L H
  BUZ73L H-ND
  SP000683014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRFR4620
  仓库库存编号：AUIRFR4620-ND
  别名：SP001518124
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20GBTMA1
  仓库库存编号：SPD07N20GBTMA1CT-ND
  别名：SPD07N20 GCT
  SPD07N20 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：BUZ31H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ31H3046XKSA1-ND
  别名：SP000682994
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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