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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32
  仓库库存编号：BUZ32IN-ND
  别名：BUZ32-ND
  BUZ32IN
  BUZ32X
  BUZ32XK
  SP000011345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUZ32 E3045A
  仓库库存编号：BUZ32 E3045A-ND
  别名：BUZ32E3045AT
  SP000011346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ32H3045AATMA1
  仓库库存编号：BUZ32H3045AATMA1-ND
  别名：BUZ32 H3045A
  BUZ32 L3045A
  BUZ32 L3045A-ND
  BUZ32H3045AIN
  BUZ32H3045AIN-ND
  BUZ32L3045AIN
  BUZ32L3045AIN-ND
  BUZ32L3045AXT
  SP000102174
  SP000736086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73E3046XK
  仓库库存编号：BUZ73E3046XK-ND
  别名：BUZ73 E3046
  BUZ73 E3046-ND
  BUZ73E3046X
  SP000011963
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A
  仓库库存编号：BUZ73AIN-ND
  别名：BUZ73A-ND
  BUZ73AIN
  BUZ73AX
  BUZ73AXK
  SP000011373
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73AE3046XK
  仓库库存编号：BUZ73AE3046XK-ND
  别名：BUZ73A E3046
  BUZ73A E3046-ND
  BUZ73AE3046X
  SP000011962
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73AL
  仓库库存编号：BUZ73ALIN-ND
  别名：BUZ73AL-ND
  BUZ73ALIN
  BUZ73ALX
  BUZ73ALXK
  SP000011375
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73L
  仓库库存编号：BUZ73LIN-ND
  别名：BUZ73L-ND
  BUZ73LIN
  BUZ73LX
  BUZ73LXK
  SP000011374
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP297L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP297L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP297L6327
  BSP297L6327INCT
  BSP297L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20
  仓库库存编号：SPD07N20INCT-ND
  别名：SPD07N20INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.6A（Ta），26A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6641TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6641TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6641TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP149L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP149L6327
  BSP149L6327INCT
  BSP149L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Ta） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220NCPBF
  仓库库存编号：IRFR220NCPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL23N20D102P
  仓库库存编号：IRFSL23N20D102P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DCPBF
  仓库库存编号：IRFR13N20DCPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRRP
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRRP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DCTRRP
  仓库库存编号：IRFR13N20DCTRRP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DCTRLP
  仓库库存编号：IRFR13N20DCTRLP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 62A（Tc） 330W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4227PBF
  仓库库存编号：IRFSL4227PBF-ND
  别名：SP001576148
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.4A（Ta），19A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6785MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6785MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6785MTR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRLP-ND
  别名：SP001578336
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4620PBF
  仓库库存编号：IRFSL4620PBF-ND
  别名：SP001567964
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL5620PBF
  仓库库存编号：IRFSL5620PBF-ND
  别名：SP001552384
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4620PBF
  仓库库存编号：IRFU4620PBF-ND
  别名：SP001573610
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS5620TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS5620TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS5620TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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