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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL17N20DPBF
  仓库库存编号：IRFSL17N20DPBF-ND
  别名：*IRFSL17N20DPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7464TRPBF
  仓库库存编号：IRF7464PBFCT-ND
  别名：*IRF7464TRPBF
  IRF7464PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108,126
  仓库库存编号：BS108,126-ND
  别名：934003840126
  BS108 AMO
  BS108 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108/01,126
  仓库库存编号：BS108/01,126-ND
  别名：934009850126
  BS108/01 AMO
  BS108/01 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 42W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR220,118
  仓库库存编号：IRFR220,118-ND
  别名：934056819118
  IRFR220 /T3
  IRFR220 /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14A（Tc） 125W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD14NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD14NQ20T,118-ND
  别名：934057072118
  PHD14NQ20T /T3
  PHD14NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21.1A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD22NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD22NQ20T,118-ND
  别名：934058112118
  PHD22NQ20T /T3
  PHD22NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK4NQ20T,518
  仓库库存编号：PHK4NQ20T,518-ND
  别名：934057303518
  PHK4NQ20T /T3
  PHK4NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.4A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM12NQ20T,518
  仓库库存编号：PHM12NQ20T,518-ND
  别名：934057302518
  PHM12NQ20T /T3
  PHM12NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17.5A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM15NQ20T,518
  仓库库存编号：PHM15NQ20T,518-ND
  别名：934057304518
  PHM15NQ20T /T3
  PHM15NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHP14NQ20T,127-ND
  别名：934055683127
  PHP14NQ20T
  PHP14NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PSMN040-200W,127
  仓库库存编号：PSMN040-200W,127-ND
  别名：934055781127
  PSMN040-200W
  PSMN040-200W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX14NQ20T,127-ND
  别名：934055773127
  PHX14NQ20T
  PHX14NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 8.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX18NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX18NQ20T,127-ND
  别名：934056396127
  PHX18NQ20T
  PHX18NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 25W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX9NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX9NQ20T,127-ND
  别名：934055769127
  PHX9NQ20T
  PHX9NQ20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149 E6327
  仓库库存编号：BSP149 E6327-ND
  别名：BSP149E6327T
  SP000011104
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149 E6906
  仓库库存编号：BSP149 E6906-ND
  别名：BSP149E6906T
  SP000055414
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149L6906HTSA1
  仓库库存编号：BSP149L6906HTSA1TR-ND
  别名：BSP149 L6906
  BSP149 L6906-ND
  BSP149L6906XT
  SP000089215
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP297 E6327
  仓库库存编号：BSP297 E6327-ND
  别名：BSP297E6327T
  SP000011108
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ30A E3045A
  仓库库存编号：BUZ30A E3045A-ND
  别名：BUZ30AE3045AT
  SP000011337
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31
  仓库库存编号：BUZ31IN-ND
  别名：BUZ31-ND
  BUZ31IN
  BUZ31X
  BUZ31XK
  SP000011341
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） TO-263
  
  型号：BUZ31 E3045A
  仓库库存编号：BUZ31 E3045A-ND
  别名：BUZ31E3045AT
  SP000011343
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31 E3046
  仓库库存编号：BUZ31 E3046-ND
  别名：BUZ31E3046X
  BUZ31E3046XK
  SP000011344
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31L
  仓库库存编号：BUZ31LIN-ND
  别名：BUZ31L-ND
  BUZ31LIN
  BUZ31LX
  BUZ31LXK
  SP000011342
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：BUZ31L E3044A
  仓库库存编号：BUZ31L E3044A-ND
  别名：BUZ31LE3044ANT
  BUZ31LE3044AT
  SP000011961
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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