产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRR
仓库库存编号：
IRFR13N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTR
仓库库存编号：
IRFR220NTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTRL
仓库库存编号：
IRFR220NTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU220N
仓库库存编号：
IRFU220N-ND
别名：*IRFU220N
SP001568188
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 44A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB42N20D
仓库库存编号：
IRFB42N20D-ND
别名：*IRFB42N20D
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450
仓库库存编号：
IRF7450-ND
别名：*IRF7450
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
型号：
IRF630NL
仓库库存编号：
IRF630NL-ND
别名：*IRF630NL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRF630NSTRR
仓库库存编号：
IRF630NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450TR
仓库库存编号：
IRF7450TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTRR
仓库库存编号：
IRFR220NTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRL
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ30A
仓库库存编号：
BUZ30AIN-ND
别名：BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73
仓库库存编号：
BUZ73IN-ND
别名：BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7492TR
仓库库存编号：
IRF7492TRTR-ND
别名：IRF7492TRTR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7492
仓库库存编号：
IRF7492-ND
别名：*IRF7492
SP001559928
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF640,127
仓库库存编号：
568-1161-5-ND
别名：568-1161-5
934055545127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU15N20DPBF
仓库库存编号：
IRFU15N20DPBF-ND
别名：*IRFU15N20DPBF
SP001576362
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
型号：
IRF630NLPBF
仓库库存编号：
IRF630NLPBF-ND
别名：*IRF630NLPBF
SP001559690
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DPBF
仓库库存编号：
IRFS17N20DPBF-ND
别名：*IRFS17N20DPBF
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