产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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分立半导体产品
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M018A020CG
仓库库存编号:
GP1M018A020CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M018A020FG
仓库库存编号:
GP1M018A020FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A020FG
仓库库存编号:
1560-1171-5-ND
别名:1560-1171-1
1560-1171-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
GP1M018A020HG
仓库库存编号:
1560-1189-5-ND
别名:1560-1189-1
1560-1189-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3A(Ta),18A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2210
仓库库存编号:
785-1708-5-ND
别名:785-1708-5
AOI2210-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.5A(Ta),13A(Tc) 8.3W(Ta),36.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2210L
仓库库存编号:
785-1713-5-ND
别名:785-1713-5
AOTF2210L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2034ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2034ENGR-ND
别名:917-EPC2034ENGR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2287WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2287WP-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 200V 72A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK72N20
仓库库存编号:
IXFK72N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT58N20Q TRL
仓库库存编号:
IXFT58N20Q TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NS
仓库库存编号:
IRF630NS-ND
别名:*IRF630NS
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
64-0007
仓库库存编号:
64-0007-ND
别名:*IRF640N
IRF640N
IRF640N-ND
SP001522470
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20D
仓库库存编号:
IRFS17N20D-ND
别名:*IRFS17N20D
SP001557226
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20D
仓库库存编号:
IRFS23N20D-ND
别名:*IRFS23N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL31N20D
仓库库存编号:
IRFSL31N20D-ND
别名:*IRFSL31N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9N20D
仓库库存编号:
IRFU9N20D-ND
别名:*IRFU9N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464
仓库库存编号:
IRF7464-ND
别名:*IRF7464
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N20D
仓库库存编号:
IRFB17N20D-ND
别名:*IRFB17N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262
型号:
IRF640NL
仓库库存编号:
IRF640NL-ND
别名:*IRF640NL
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20D
仓库库存编号:
IRFSL17N20D-ND
别名:*IRFSL17N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TR
仓库库存编号:
IRF7464TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTR
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