产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 9A
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTXV2N6758
仓库库存编号：
JANTXV2N6758-ND
别名：JANTXV2N6758-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTXV2N6766
仓库库存编号：
JANTXV2N6766-ND
别名：JANTXV2N6766-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6766T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6766T1-ND
别名：JANTXV2N6766T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTXV2N6784
仓库库存编号：
JANTXV2N6784-ND
别名：JANTXV2N6784-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6784U
仓库库存编号：
JANTXV2N6784U-ND
别名：JANTXV2N6784U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTXV2N6790
仓库库存编号：
JANTXV2N6790-ND
别名：JANTXV2N6790-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6790U
仓库库存编号：
JANTXV2N6790U-ND
别名：JANTXV2N6790U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTXV2N6798
仓库库存编号：
JANTXV2N6798-ND
别名：JANTXV2N6798-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6798U
仓库库存编号：
JANTXV2N6798U-ND
别名：JANTXV2N6798U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7225
仓库库存编号：
JANTXV2N7225-ND
别名：JANTXV2N7225-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7225U
仓库库存编号：
JANTXV2N7225U-ND
别名：JANTXV2N7225U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7225
仓库库存编号：
2N7225-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7225U
仓库库存编号：
2N7225U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6758
仓库库存编号：
2N6758-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6766
仓库库存编号：
2N6766-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6766T1
仓库库存编号：
2N6766T1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
2N6784
仓库库存编号：
2N6784-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6784U
仓库库存编号：
2N6784U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
2N6790
仓库库存编号：
2N6790-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6790U
仓库库存编号：
2N6790U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6798
仓库库存编号：
2N6798-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6798U
仓库库存编号：
2N6798U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
型号：
GP1M009A020CG
仓库库存编号：
GP1M009A020CG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） TO-220
型号：
GP1M009A020HG
仓库库存编号：
GP1M009A020HG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
型号：
GP1M009A020PG
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