产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 40A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK2006DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK2006DPE-00#J3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
详细描述：通孔 N 沟道 200V 40A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
型号：
RJK2009DPM-00#T0
仓库库存编号：
RJK2009DPM-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK2057DPA-00#J0
仓库库存编号：
RJK2057DPA-00#J0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JAN2N6758
仓库库存编号：
JAN2N6758-ND
别名：JAN2N6758-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JAN2N6766
仓库库存编号：
JAN2N6766-ND
别名：JAN2N6766-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N6766T1
仓库库存编号：
JAN2N6766T1-ND
别名：JAN2N6766T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6784
仓库库存编号：
JAN2N6784-ND
别名：JAN2N6784-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6784U
仓库库存编号：
JAN2N6784U-ND
别名：JAN2N6784U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6790
仓库库存编号：
JAN2N6790-ND
别名：JAN2N6790-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6790U
仓库库存编号：
JAN2N6790U-ND
别名：JAN2N6790U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6798
仓库库存编号：
JAN2N6798-ND
别名：JAN2N6798-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6798U
仓库库存编号：
JAN2N6798U-ND
别名：JAN2N6798U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N7225
仓库库存编号：
JAN2N7225-ND
别名：JAN2N7225-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-267AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JAN2N7225U
仓库库存编号：
JAN2N7225U-ND
别名：JAN2N7225U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTX2N6758
仓库库存编号：
JANTX2N6758-ND
别名：JANTX2N6758-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6766
仓库库存编号：
JANTX2N6766-ND
别名：JANTX2N6766-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N6766T1
仓库库存编号：
JANTX2N6766T1-ND
别名：JANTX2N6766T1-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
JANTX2N6784
仓库库存编号：
JANTX2N6784-ND
别名：JANTX2N6784-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTX2N6784U
仓库库存编号：
JANTX2N6784U-ND
别名：JANTX2N6784U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
JANTX2N6790
仓库库存编号：
JANTX2N6790-ND
别名：JANTX2N6790-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTX2N6790U
仓库库存编号：
JANTX2N6790U-ND
别名：JANTX2N6790U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTX2N6798
仓库库存编号：
JANTX2N6798-ND
别名：JANTX2N6798-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTX2N6798U
仓库库存编号：
JANTX2N6798U-ND
别名：JANTX2N6798U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N7225
仓库库存编号：
JANTX2N7225-ND
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产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27.4A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTX2N7225U
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