产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 380mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2327DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2327DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2327DS-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 950mA（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3475DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3475DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3475DV-T1-E3CT
SI3475DVT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4418DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4418DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4418DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.15A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI4462DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4462DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4462DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7462DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7462DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7462DP-T1-E3CT
SI7462DPT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 33A（Tc） 3.12W（Ta），156W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM33N20-60P-E3
仓库库存编号：
SUM33N20-60P-E3CT-ND
别名：SUM33N20-60P-E3CT
SUM33N2060PE3
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 52A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF52N20T
仓库库存编号：
FDPF52N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 36A（Tc） 3.12W（Ta），166W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM36N20-54P-E3
仓库库存编号：
SUM36N20-54P-E3CT-ND
别名：SUM36N20-54P-E3CT
SUM36N2054PE3
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.75W（Ta），60W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM09N20-270-E3
仓库库存编号：
SUM09N20-270-E3CT-ND
别名：SUM09N20-270-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 27A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM27N20-78-E3
仓库库存编号：
SUM27N20-78-E3CT-ND
别名：SUM27N20-78-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200V 120mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2120ASTZ
仓库库存编号：
ZVP2120ASCT-ND
别名：ZVP2120ASCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 333A 1250W Chassis Mount SP4
型号：
APTM20AM05FTG
仓库库存编号：
APTM20AM05FTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 694W（Tc） SP4
型号：
APTM20DAM10TG
仓库库存编号：
APTM20DAM10TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6
型号：
APTM20DHM10G
仓库库存编号：
APTM20DHM10G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP4
型号：
APTM20DHM16TG
仓库库存编号：
APTM20DHM16TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
型号：
APTM20DHM20TG
仓库库存编号：
APTM20DHM20TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 333A 1250W Chassis Mount SP4
型号：
APTM20DUM05TG
仓库库存编号：
APTM20DUM05TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 175A 694W Chassis Mount SP4
型号：
APTM20DUM10TG
仓库库存编号：
APTM20DUM10TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 694W（Tc） SP4
型号：
APTM20SKM10TG
仓库库存编号：
APTM20SKM10TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM20TDUM16PG
仓库库存编号：
APTM20TDUM16PG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A J3
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） 模块
型号：
APTM20UM05SG
仓库库存编号：
APTM20UM05SG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 195A J3
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 195A（Tc） 780W（Tc） 模块
型号：
APTM20UM09SG
仓库库存编号：
APTM20UM09SG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.6A（Tc） 3.13W（Ta），45W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB4N20TM
仓库库存编号：
FQB4N20TMCT-ND
别名：FQB4N20TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200V 70A（Ta） TO-3P
型号：
FD70N20PWD
仓库库存编号：
FD70N20PWD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC2612_F095
仓库库存编号：
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产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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