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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9220TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9220PBFCT-ND
  别名：*IRFR9220TRPBF
  IRFR9220PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7119DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7119DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7119DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4464DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4464DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4464DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP149H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP149H6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR13N20DPBFCT-ND
  别名：*IRFR13N20DTRPBF
  IRFR13N20DPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF610PBF
  仓库库存编号：IRF610PBF-ND
  别名：*IRF610PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC900N20NS3GCT-ND
  别名：BSC900N20NS3GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH6400ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH6400ENHL1QCT-ND
  别名：TPH6400ENH,L1QCT
  TPH6400ENH,L1QCT-ND
  TPH6400ENHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC500N20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF640NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF640NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF640NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 180mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVNL120A
  仓库库存编号：ZVNL120A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32.7A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB33NQ20T,118
  仓库库存编号：1727-4765-1-ND
  别名：1727-4765-1
  568-5942-1
  568-5942-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ431EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ431EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2672
  仓库库存编号：FDMS2672CT-ND
  别名：FDMS2672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD210PBF
  仓库库存编号：IRFD210PBF-ND
  别名：*IRFD210PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N20C
  仓库库存编号：FQPF10N20CFS-ND
  别名：FQPF10N20C-ND
  FQPF10N20CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12P20TM
  仓库库存编号：FQB12P20TMCT-ND
  别名：FQB12P20TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630PBF
  仓库库存编号：IRF630PBF-ND
  别名：*IRF630PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9630PBF
  仓库库存编号：IRF9630PBF-ND
  别名：*IRF9630PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4620TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4620TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4620TRLPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3GATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC320N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC320N20NS3 GCT-ND
  别名：BSC320N20NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9620PBF
  仓库库存编号：IRF9620PBF-ND
  别名：*IRF9620PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB320N20N3 G
  仓库库存编号：IPB320N20N3 GCT-ND
  别名：IPB320N20N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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