以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL640L
  仓库库存编号：IRL640L-ND
  别名：*IRL640L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRL
  仓库库存编号：IRL640STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRR
  仓库库存编号：IRL640STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI620
  仓库库存编号：IRFI620-ND
  别名：*IRFI620
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.6A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU220_R4941
  仓库库存编号：IRFU220FS-ND
  别名：IRFU220_R4941-ND
  IRFU220FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8012-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8012-HQDKR-ND
  别名：TPC8012-HDKR
  TPC8012-HDKR-ND
  TPC8012-HQDKR
  TPC8012HTE12LQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 110A（Tc） 500W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE110NS20FD
  仓库库存编号：497-2657-5-ND
  别名：497-2657-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 0.25A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 250mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
  
  型号：MMFT107T1
  仓库库存编号：MMFT107T1OSDKR-ND
  别名：MMFT107T1OSDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP6P20E
  仓库库存编号：MTP6P20EOS-ND
  别名：MTP6P20EOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20E
  仓库库存编号：MTW32N20EOS-ND
  别名：MTW32N20EOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：MTD6N20ET4
  仓库库存编号：MTD6N20ET4OSCT-ND
  别名：MTD6N20ET4OSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20
  仓库库存编号：RDN100N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：2SK2887TL
  仓库库存编号：2SK2887TLCT-ND
  别名：2SK2887TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8010-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8010HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8010HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI620GPBF
  仓库库存编号：IRLI620GPBF-ND
  别名：*IRLI620GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC640PBF
  仓库库存编号：IRC640PBF-ND
  别名：*IRC640PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRF640LPBF
  仓库库存编号：IRF640LPBF-ND
  别名：*IRF640LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC630PBF
  仓库库存编号：IRC630PBF-ND
  别名：*IRC630PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDS2170N3
  仓库库存编号：FDS2170N3CT-ND
  别名：FDS2170N3_NLCT
  FDS2170N3_NLCT-ND
  FDS2170N3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDS2170N7
  仓库库存编号：FDS2170N7CT-ND
  别名：FDS2170N7_NLCT
  FDS2170N7_NLCT-ND
  FDS2170N7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20EG
  仓库库存编号：MTW32N20EGOS-ND
  别名：MTW32N20EGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Ta） 214W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP30N20G
  仓库库存编号：NTP30N20GOS-ND
  别名：NTP30N20GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 2A（Tc） 1W（Ta），10W（Tc） U-G2
  
  型号：2SJ058200L
  仓库库存编号：2SJ058200LCT-ND
  别名：2SJ058200LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.9A（Ta） 42W（Ta） TO-252
  
  型号：FDD2612
  仓库库存编号：FDD2612-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A（Ta） 93W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2670
  仓库库存编号：FDP2670-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索