产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH74N20P
仓库库存编号：
IXFH74N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 模具剖面（7 焊条）
型号：
EPC2010CENGR
仓库库存编号：
917-EPC2010CENGRCT-ND
别名：917-EPC2010CENGRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
详细描述：Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
型号：
TC8020K6-G-M937
仓库库存编号：
TC8020K6-G-M937-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT96N20P
仓库库存编号：
IXTT96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH32P20T
仓库库存编号：
IXTH32P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT96N20P
仓库库存编号：
IXFT96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT24P20
仓库库存编号：
IXTT24P20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ120N20P
仓库库存编号：
IXTQ120N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 72A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH72N20
仓库库存编号：
IXTH72N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH120N20P
仓库库存编号：
IXFH120N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK120N20P
仓库库存编号：
IXTK120N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH58N20Q
仓库库存编号：
IXFH58N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 66A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH66N20Q
仓库库存编号：
IXFH66N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK120N20P
仓库库存编号：
IXFK120N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N20
仓库库存编号：
IXFT50N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 56A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT20M45BVRG
仓库库存编号：
APT20M45BVRG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH50N20
仓库库存编号：
IXTH50N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 170A（Tc） 1150W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX170N20T
仓库库存编号：
IXFX170N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 520W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH80N20L
仓库库存编号：
IXTH80N20L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 200V 140A（Tc） 800W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK140N20P
仓库库存编号：
IXTK140N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH60N20
仓库库存编号：
IXFH60N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT74N20
仓库库存编号：
IXFT74N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） D3Pak
型号：
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号：
APT20M38SVRG/TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 56A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT20M45BVFRG
仓库库存编号：
APT20M45BVFRG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 200V 68A（Tc） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH68P20T
仓库库存编号：
IXTH68P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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