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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP86N20T
  仓库库存编号：IXTP86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ72N20T
  仓库库存编号：IXTQ72N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA86N20T
  仓库库存编号：IXTA86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH72N20T
  仓库库存编号：IXTH72N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2019ENG
  仓库库存编号：917-1055-1-ND
  别名：917-1055-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16P20
  仓库库存编号：IXTH16P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ86N20T
  仓库库存编号：IXTQ86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH86N20T
  仓库库存编号：IXTH86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ98N20T
  仓库库存编号：IXTQ98N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26P20P
  仓库库存编号：IXTQ26P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ74N20P
  仓库库存编号：IXTQ74N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH98N20T
  仓库库存编号：IXTH98N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 750W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ102N20T
  仓库库存编号：IXTQ102N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 750W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH102N20T
  仓库库存编号：IXTH102N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP32P20T
  仓库库存编号：IXTP32P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET P-CH 200V 32A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA32P20T
  仓库库存编号：IXTA32P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT74N20P
  仓库库存编号：IXTT74N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 200V 10A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5041
  仓库库存编号：SLA5041-ND
  别名：SLA5041 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH130N20T
  仓库库存编号：IXTH130N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48N20
  仓库库存编号：IXTH48N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ96N20P
  仓库库存编号：IXTQ96N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV98N20T
  仓库库存编号：IXTV98N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH96N20P
  仓库库存编号：IXTH96N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH96N20P
  仓库库存编号：IXFH96N20P-ND
  
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  MOSFET P-CH 200V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16P20
  仓库库存编号：IXTT16P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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