产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRL640STRRPBF
仓库库存编号:
IRL640STRRPBF-ND
别名:Q4322190B
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Ta) 40W(Tc) TO-220
型号:
FKP202
仓库库存编号:
FKP202-ND
别名:FKP202 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号:
SQM60N20-35_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 27A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP27N20T
仓库库存编号:
IXTP27N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP32N20T
仓库库存编号:
IXTP32N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 95W(Tc) TO-263-3
型号:
SKP202
仓库库存编号:
SKP202-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA32N20T
仓库库存编号:
IXTA32N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 95W(Tc) TO-263-3
型号:
SKP202VR
仓库库存编号:
SKP202VR-ND
别名:SKP202VR DK
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36N20T
仓库库存编号:
IXTP36N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36N20T
仓库库存编号:
IXTA36N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 TO-3P
型号:
IXTQ36N20T
仓库库存编号:
IXTQ36N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA48N20T
仓库库存编号:
IXTA48N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 3.12W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM52N20-39P-E3
仓库库存编号:
SUM52N20-39P-E3TR-ND
别名:SUM52N20-39P-E3-ND
SUM52N20-39P-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH36N20T
仓库库存编号:
IXTH36N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN100N20FU6
仓库库存编号:
RDN100N20FU6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA70N20
仓库库存编号:
FDA70N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ48N20T
仓库库存编号:
IXTQ48N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA50N20P
仓库库存编号:
IXTA50N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N20P
仓库库存编号:
IXTP50N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 90W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP50N20PM
仓库库存编号:
IXTP50N20PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 275W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH48N20T
仓库库存编号:
IXTH48N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP72N20T
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N20P
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP60N20T
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IXTP60N20T-ND
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MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 500W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA60N20T
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