产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ450N20TL
仓库库存编号:
RCJ450N20TLCT-ND
别名:RCJ450N20TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM90142E_GE3
仓库库存编号:
SQM90142E_GE3CT-ND
别名:SQM90142E_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM65N20-30-E3
仓库库存编号:
SUM65N20-30-E3CT-ND
别名:SUM65N20-30-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3892
仓库库存编号:
2SK3892-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT70N20Q3
仓库库存编号:
IXFT70N20Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ60N20L2
仓库库存编号:
IXTQ60N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N20L2
仓库库存编号:
IXTH60N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT60N20L2
仓库库存编号:
IXTT60N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX110N20L2
仓库库存编号:
IXTX110N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 372A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM20SKM04G
仓库库存编号:
APTM20SKM04G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP297H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP297H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32 H
仓库库存编号:
BUZ32 H-ND
别名:BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4020TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS31N20DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N20DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD20NF20
仓库库存编号:
497-5810-1-ND
别名:497-5810-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZVN3320FTA
仓库库存编号:
ZVN3320FCT-ND
别名:ZVN3320F
ZVN3320FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN102-200Y,115
仓库库存编号:
1727-5227-1-ND
别名:1727-5227-1
568-6544-1
568-6544-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40NF20
仓库库存编号:
497-5805-5-ND
别名:497-5805-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 372A 1250W Chassis Mount SP6
型号:
APTM20AM04FG
仓库库存编号:
APTM20AM04FG-ND
别名:APTM20AM04FGMI
APTM20AM04FGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 2.2W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN20B28KTC
仓库库存编号:
ZXMN20B28KTCCT-ND
别名:ZXMN20B28KTCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2612
仓库库存编号:
FDC2612CT-ND
别名:FDC2612CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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