产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(469)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(23)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(446)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(35)
Diodes Incorporated(8)
EPC(10)
Fairchild/ON Semiconductor(109)
Infineon Technologies(105)
IXYS(3)
Microchip Technology(2)
Nexperia USA Inc.(64)
NXP USA Inc.(11)
ON Semiconductor(1)
Panasonic Electronic Components(3)
Renesas Electronics America(8)
Rohm Semiconductor(3)
STMicroelectronics(25)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(8)
Toshiba Semiconductor and Storage(15)
Vishay Siliconix(56)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),35A(Tc) 2.2W(Ta),30W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT8012LFG-7
仓库库存编号:
DMT8012LFG-7DICT-ND
别名:DMT8012LFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 80V 65A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 107W(Tj) Power56
型号:
FDWS86369_F085
仓库库存编号:
FDWS86369_F085CT-ND
别名:FDWS86369_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 80V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMTH8012LK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH8012LK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH8012LK3Q-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4444
仓库库存编号:
785-1197-1-ND
别名:785-1197-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP24N08
仓库库存编号:
FQP24N08-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tj) Power56
型号:
FDWS86368_F085
仓库库存编号:
FDWS86368_F085CT-ND
别名:FDWS86368_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 20A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),20A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC86324
仓库库存编号:
FDMC86324CT-ND
别名:FDMC86324CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tc) Power56
型号:
FDMS86368_F085
仓库库存编号:
FDMS86368_F085CT-ND
别名:FDMS86368_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP052N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP052N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227050
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19502Q5B
仓库库存编号:
296-37194-1-ND
别名:296-37194-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86366_F085
仓库库存编号:
FDB86366_F085CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 80V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50P08-25L_GE3
仓库库存编号:
SQD50P08-25L_GE3CT-ND
别名:SQD50P08-25L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 130A
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 4.8W(Ta), 135W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL135N8F7AG
仓库库存编号:
497-16318-1-ND
别名:497-16318-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8051-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8051-HTE12LQCT-ND
别名:TPC8051-HTE12LQCT
TPC8051HTE12LQ
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 200W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH145N8F7-2AG
仓库库存编号:
497-16315-1-ND
别名:497-16315-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y72-80EX
仓库库存编号:
1727-1894-1-ND
别名:1727-1894-1
568-11627-1
568-11627-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 75W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M28-80EX
仓库库存编号:
1727-2578-1-ND
别名:1727-2578-1
568-13022-1
568-13022-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M35-80EX
仓库库存编号:
1727-2580-1-ND
别名:1727-2580-1
568-13024-1
568-13024-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 75W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M22-80EX
仓库库存编号:
1727-2560-1-ND
别名:1727-2560-1
568-13004-1
568-13004-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 62A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN014-80YLX
仓库库存编号:
1727-2590-1-ND
别名:1727-2590-1
568-13041-1
568-13041-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 62A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y14-80E,115
仓库库存编号:
1727-1810-1-ND
别名:1727-1810-1
568-11424-1
568-11424-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRL80HS120
仓库库存编号:
IRL80HS120CT-ND
别名:IRL80HS120CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号