产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(469)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(23)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(446)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(35)
Diodes Incorporated(8)
EPC(10)
Fairchild/ON Semiconductor(109)
Infineon Technologies(105)
IXYS(3)
Microchip Technology(2)
Nexperia USA Inc.(64)
NXP USA Inc.(11)
ON Semiconductor(1)
Panasonic Electronic Components(3)
Renesas Electronics America(8)
Rohm Semiconductor(3)
STMicroelectronics(25)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(8)
Toshiba Semiconductor and Storage(15)
Vishay Siliconix(56)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN025-80YLX
仓库库存编号:
1727-2594-1-ND
别名:1727-2594-1
568-13045-1
568-13045-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M23-80EX
仓库库存编号:
1727-2575-1-ND
别名:1727-2575-1
568-13019-1
568-13019-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述:N 沟道 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD135N08N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7380TRPBF
仓库库存编号:
IRF7380TRPBFCT-ND
别名:IRF7380TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ110N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ110N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y9R9-80EX
仓库库存编号:
1727-1489-1-ND
别名:1727-1489-1
568-10969-1
568-10969-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN017-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7209-1-ND
别名:1727-7209-1
568-9700-1
568-9700-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 148W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7206-1-ND
别名:1727-7206-1
568-9697-1
568-9697-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC072N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC052N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC052N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC030N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC037N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB020N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB020N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB020N08N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT012N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPT012N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPT012N08N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0808L-G
仓库库存编号:
VN0808L-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19503KCS
仓库库存编号:
296-37481-5-ND
别名:296-37481-5
CSD19503KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 80V 56A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 13.5A(Ta), 56A(Tc) 2.2W(Ta),37.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF286L
仓库库存编号:
785-1727-5-ND
别名:785-1727-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75542P3
仓库库存编号:
HUF75542P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK100A08N1,S4X
仓库库存编号:
TK100A08N1S4X-ND
别名:TK100A08N1,S4X(S
TK100A08N1,S4X-ND
TK100A08N1S4X
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 170W(Tc) TO-220
型号:
STP110N8F7
仓库库存编号:
497-16486-5-ND
别名:497-16486-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 80V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Ta) 192W(Tc) TO-220
型号:
TK72E08N1,S1X
仓库库存编号:
TK72E08N1S1X-ND
别名:TK72E08N1,S1X(S
TK72E08N1S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75545P3
仓库库存编号:
HUF75545P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN4R3-80ES,127
仓库库存编号:
1727-5280-ND
别名:1727-5280
568-6708
568-6708-5
568-6708-5-ND
568-6708-ND
934065164127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
POWER TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 50W(Tj) Power56
型号:
FDMS86381_F085
仓库库存编号:
FDMS86381_F085CT-ND
别名:FDMS86381_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号