产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL86363_F085
仓库库存编号：
FDBL86363_F085CT-ND
别名：FDBL86363_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA90N08
仓库库存编号：
FQA90N08-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），198A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86350ET80
仓库库存编号：
FDMS86350ET80CT-ND
别名：FDMS86350ET80CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL86361_F085
仓库库存编号：
FDBL86361_F085CT-ND
别名：FDBL86361_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 214W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP039N08B_F102
仓库库存编号：
FDP039N08B_F102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB86360_F085
仓库库存编号：
FDB86360_F085CT-ND
别名：FDB86360_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP028N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP028N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP028N08N3 G
IPP028N08N3 G-ND
IPP028N08N3G
SP000680766
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH275N8F7-2AG
仓库库存编号：
497-15473-1-ND
别名：497-15473-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110P08-11L-E3
仓库库存编号：
SUM110P08-11L-E3CT-ND
别名：SUM110P08-11L-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH275N8F7-6AG
仓库库存编号：
497-15474-1-ND
别名：497-15474-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 3.8W（Ta）, 214W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0250N807L
仓库库存编号：
FDB0250N807LCT-ND
别名：FDB0250N807LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0150N80
仓库库存编号：
FDBL0150N80CT-ND
别名：FDBL0150N80CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP020N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP020N08N5AKSA1-ND
别名：SP001132480
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），254A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
型号：
FDMT80080DC
仓库库存编号：
FDMT80080DCCT-ND
别名：FDMT80080DCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0190N807L
仓库库存编号：
FDB0190N807LCT-ND
别名：FDB0190N807LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0210N80
仓库库存编号：
FDBL0210N80CT-ND
别名：FDBL0210N80CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB0165N807L
仓库库存编号：
FDB0165N807LTR-ND
别名：FDB0165N807L-ND
FDB0165N807LTR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB0165N807L
仓库库存编号：
FDB0165N807LCT-ND
别名：FDB0165N807LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB0165N807L
仓库库存编号：
FDB0165N807LDKR-ND
别名：FDB0165N807LDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA160N08
仓库库存编号：
FQA160N08-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
型号：
STH270N8F7-2
仓库库存编号：
497-13873-1-ND
别名：497-13873-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2021ENG
仓库库存编号：
917-EPC2021ENG-ND
别名：917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y72-80E,115
仓库库存编号：
1727-1813-1-ND
别名：1727-1813-1
568-11427-1
568-11427-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN041-80YLX
仓库库存编号：
1727-1507-1-ND
别名：1727-1507-1
568-10987-1
568-10987-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M27-80EX
仓库库存编号：
1727-2561-1-ND
别名：1727-2561-1
568-13005-1
568-13005-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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