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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP139N08N3 G
  仓库库存编号：IPP139N08N3 G-ND
  别名：IPP139N08N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU103N08N3 G
  仓库库存编号：IPU103N08N3 G-ND
  别名：SP000521640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6668TR1
  仓库库存编号：IRF6668TR1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N08N3GE8181XKSA1
  仓库库存编号：IPP037N08N3GE8181XKSA1-ND
  别名：IPP037N08N3 G E8181
  IPP037N08N3 G E8181-ND
  SP000765976
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB097N08N3 G
  仓库库存编号：IPB097N08N3 GCT-ND
  别名：IPB097N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB136N08N3 G
  仓库库存编号：IPB136N08N3 GCT-ND
  别名：IPB136N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR2908
  仓库库存编号：AUIRLR2908-ND
  别名：SP001518234
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E4R0-80E,127
  仓库库存编号：568-9854-5-ND
  别名：568-9854-5
  934066516127
  BUK7E4R080E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK954R4-80E,127
  仓库库存编号：568-9865-5-ND
  别名：568-9865-5
  934066523127
  BUK954R480E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E4R4-80E,127
  仓库库存编号：568-9875-5-ND
  别名：568-9875-5
  934066515127
  BUK9E4R480E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y7R8-80E,115
  仓库库存编号：BUK9Y7R8-80E,115-ND
  别名：934067026115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y98-80E,115
  仓库库存编号：BUK9Y98-80E,115-ND
  别名：934067034115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y9R9-80E,115
  仓库库存编号：BUK9Y9R9-80E,115-ND
  别名：934067027115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD053N08N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD053N08N3 GCT
  IPD053N08N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C3R1-80EJ
  仓库库存编号：BUK7C3R1-80EJ-ND
  别名：934067493118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C3R8-80EJ
  仓库库存编号：BUK7C3R8-80EJ-ND
  别名：934067494118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V D2PAK-7
  
  型号：BUK9C3R8-80EJ
  仓库库存编号：BUK9C3R8-80EJ-ND
  别名：934067486118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 22A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 22A（Ta） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7885TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7885TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7885TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 26A
  详细描述：N 沟道 80V 26A（Ta） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7882TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7882TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7882TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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