产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD046N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPD046N08N5ATMA1-ND
别名：SP001475652
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 40A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA100N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA100N08N3GXKSA1-ND
别名：IPA00N08N3GXKSA1-ND
IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
IPA100N08N3 G
IPA100N08N3 G-ND
IPA100N08N3G
SP000473900
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 144W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N08S405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N08S405ATMA1-ND
别名：SP000984282
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB049N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB049N08N5ATMA1-ND
别名：SP001227052
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N08S406ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N08S406ATMA1-ND
别名：SP000984296
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N08S406AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N08S406AKSA1-ND
别名：SP000984298
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 140A（Tc） 161W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB140N08S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB140N08S404ATMA1-ND
别名：SP000989102
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N08S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S404ATMA1-ND
别名：SP000989094
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N08S406AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N08S406AKSA1-ND
别名：SP000984300
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989096
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 160A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N08S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989092
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N08S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989104
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989098
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N08S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N08S403AKSA1-ND
别名：SP000989106
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI037N08N3GXKSA1-ND
别名：SP000680654
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB024N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB024N08N5ATMA1-ND
别名：SP001227044
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 165A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8-1
型号：
IAUT165N08S5N029ATMA2
仓库库存编号：
IAUT165N08S5N029ATMA2-ND
别名：SP001585162
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 180A（Tc） 277W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N08S402ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N08S402ATMA1-ND
别名：SP000983458
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N08S403AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N08S403AKSA1-ND
别名：SP000989108
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名：SP000476912
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP027N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP027N08N5AKSA1-ND
别名：SP001132484
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP023N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP023N08N5AKSA1-ND
别名：SP001132482
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP034N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP034N08N5AKSA1-ND
别名：SP001227046
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
型号：
IAUT300N08S5N012ATMA2
仓库库存编号：
IAUT300N08S5N012ATMA2-ND
别名：SP001585160
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP50NE08
仓库库存编号：
497-2787-5-ND
别名：497-2787-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
含铅
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