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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN8R2-80YS,115
  仓库库存编号：1727-4272-1-ND
  别名：1727-4272-1
  568-4904-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN011-80YS,115
  仓库库存编号：1727-4623-1-ND
  别名：1727-4623-1
  568-5577-1
  568-5577-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3518TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3518TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3518TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y8R5-80EX
  仓库库存编号：1727-1127-1-ND
  别名：1727-1127-1
  568-10282-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ075N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N08N3 G
  仓库库存编号：IPU135N08N3 G-ND
  别名：IPU135N08N3G
  IPU135N08N3GBKMA1
  SP000521642
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN8R7-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7217-1-ND
  别名：1727-7217-1
  568-9708-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK964R7-80E,118
  仓库库存编号：1727-1063-1-ND
  别名：1727-1063-1
  568-10173-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB031N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB031N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB031N08N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC3535
  仓库库存编号：FDC3535CT-ND
  别名：FDC3535CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7469DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7469DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7469DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR826ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR826ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 176W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N8F6
  仓库库存编号：497-15553-5-ND
  别名：497-15553-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），130A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86350
  仓库库存编号：FDMS86350CT-ND
  别名：FDMS86350CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2337ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2337ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2337ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 136W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ480E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ480E-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ480E-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC026N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC026N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC026N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB019N08N3 G
  仓库库存编号：IPB019N08N3 GCT-ND
  别名：IPB019N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.4A 1.4W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8K41GZETB
  仓库库存编号：SH8K41GZETBCT-ND
  别名：SH8K41GZETBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC117N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC117N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 80V 3.4A, 2.6A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8M41TB1
  仓库库存编号：SH8M41TB1CT-ND
  别名：SH8M41TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK35A08N1S4X-ND
  别名：TK35A08N1,S4X(S
  TK35A08N1,S4X-ND
  TK35A08N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N8F7-6
  仓库库存编号：497-13874-1-ND
  别名：497-13874-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 2.7W（Ta） TO-252
  
  型号：DMT8012LK3-13
  仓库库存编号：DMT8012LK3-13DICT-ND
  别名：DMT8012LK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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