产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.4A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL296SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL296SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942912
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP-6-1
型号:
BSL373SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL373SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942916
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 35V 4.8A(Ta),6.7A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM64N035GTA
仓库库存编号:
ZXM64N035GCT-ND
别名:ZXM64N035GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 35V 3.8A(Ta),5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM64P035GTA
仓库库存编号:
ZXM64P035GCT-ND
别名:ZXM64P035GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMDFS6N303R2
仓库库存编号:
MMDFS6N303R2OS-ND
别名:MMDFS6N303R2OS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2OS-ND
别名:NTMSD6N303R2OS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS075P03TB
仓库库存编号:
RSS075P03TBCT-ND
别名:RSS075P03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS100N03TB
仓库库存编号:
RSS100N03TBCT-ND
别名:RSS100N03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS105N03TB
仓库库存编号:
RSS105N03TBCT-ND
别名:RSS105N03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS110N03TB
仓库库存编号:
RSS110N03TBCT-ND
别名:RSS110N03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS120N03TB
仓库库存编号:
RSS120N03TBCT-ND
别名:RSS120N03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS125N03TB
仓库库存编号:
RSS125N03TBTR-ND
别名:RSS125N03TB-ND
RSS125N03TBTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS140N03TB
仓库库存编号:
RSS140N03TBTR-ND
别名:RSS140N03TB-ND
RSS140N03TBTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.7A(Ta) 2W(Ta) SuperSOT?-6 FLMP
型号:
FDC3616N
仓库库存编号:
FDC3616NCT-ND
别名:FDC3616N_NLCT
FDC3616N_NLCT-ND
FDC3616NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8A(Ta) 2W(Ta) SuperSOT?-6 FLMP
型号:
FDC697P_F077
仓库库存编号:
FDC697PCT-ND
别名:FDC697P_NLCT
FDC697P_NLCT-ND
FDC697PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 7A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7A(Ta) 2W(Ta) SuperSOT?-6 FLMP
型号:
FDC699P
仓库库存编号:
FDC699PCT-ND
别名:FDC699P_NLCT
FDC699P_NLCT-ND
FDC699PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2W(Ta) SuperSOT?-6 FLMP
型号:
FDC796N
仓库库存编号:
FDC796NCT-ND
别名:FDC796N_NLCT
FDC796N_NLCT-ND
FDC796NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2G
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2GOS-ND
别名:NTMSD6N303R2GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 500mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2110GTC
仓库库存编号:
ZVN2110GTC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.9A(Ta),4A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM62P03GTA
仓库库存编号:
ZXM62P03GTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN6A11GTC
仓库库存编号:
ZXMN6A11GTC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP10A17GTA
仓库库存编号:
ZXMP10A17GCT-ND
别名:ZXMP10A17GCT
ZXMP10A17GTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 2W(Ta) 12-BGA(2x2.5)
型号:
FDZ202P
仓库库存编号:
FDZ202P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.8A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN6A25G
仓库库存编号:
ZXMN6A25GCT-ND
别名:ZXMN6A25GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4A(Ta) 2W(Ta) 12-BGA(2x2.5)
型号:
FDZ209N
仓库库存编号:
FDZ209NCT-ND
别名:FDZ209NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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