产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMN10A11GTA
仓库库存编号：
ZXMN10A11GCT-ND
别名：ZXMN10A11GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
CZDM1003N TR
仓库库存编号：
CZDM1003N CT-ND
别名：CZDM1003N CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta），4.7A（Tc） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXM62N03GTA
仓库库存编号：
ZXM62N03GCT-ND
别名：ZXM62N03GCT
ZXM62N03GTA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E070BNTR
仓库库存编号：
RF4E070BNTRCT-ND
别名：RF4E070BNTRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVN4210GTA
仓库库存编号：
ZVN4210GCT-ND
别名：ZVN4210GCT
ZVN4210GTA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 2W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMP10A17KTC
仓库库存编号：
ZXMP10A17KCT-ND
别名：ZXMP10A17KCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMP10A17GQTA
仓库库存编号：
ZXMP10A17GQTADICT-ND
别名：ZXMP10A17GQTADICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH090N03TB1
仓库库存编号：
RSH090N03TB1CT-ND
别名：RSH090N03TB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 7A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH070N05GZETB
仓库库存编号：
RSH070N05GZETBCT-ND
别名：RSH070N05GZETBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMN10A25GTA
仓库库存编号：
ZXMN10A25GTACT-ND
别名：ZXMN10A25GCT
ZXMN10A25GCT-ND
ZXMN10A25GTACT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E150MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E150MNTB1CT-ND
别名：RQ3E150MNTB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMNH10H028SK3-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SK3-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS070N05FU6TB
仓库库存编号：
RSS070N05FU6TBCT-ND
别名：RSS070N05FU6TBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252
型号：
DMNH10H028SK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS095N05FU6TB
仓库库存编号：
RSS095N05FU6TBCT-ND
别名：RSS095N05FU6TBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RUS100N02TB
仓库库存编号：
RUS100N02TBCT-ND
别名：RUS100N02TBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS070P05FU6TB
仓库库存编号：
RSS070P05FU6TBCT-ND
别名：RSS070P05FU6TBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 40V 7A S08
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） SO8-F1-B
型号：
MTM981400BBF
仓库库存编号：
MTM981400BBFCT-ND
别名：MTM981400BBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） SO8-F1-B
型号：
MTM982400BBF
仓库库存编号：
MTM982400BBFCT-ND
别名：MTM982400BBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7324D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7324D1PBFCT-ND
别名：*IRF7324D1TRPBF
IRF7324D1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7421D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7421D1PBFCT-ND
别名：*IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
IRFTS9342TRPBF
仓库库存编号：
IRFTS9342TRPBFCT-ND
别名：IRFTS9342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
IRFTS8342TRPBF
仓库库存编号：
IRFTS8342TRPBFCT-ND
别名：IRFTS8342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7422D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7422D2PBFCT-ND
别名：*IRF7422D2TRPBF
IRF7422D2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL606SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL606SNH6327XTSA1CT-ND
别名：BSL606SNH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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