产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS090N03FU6TB
仓库库存编号：
RSS090N03FU6TBCT-ND
别名：RSS090N03TBCT
RSS090N03TBCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 3.5A（Ta） 2W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3J351R,LF
仓库库存编号：
SSM3J351RLFCT-ND
别名：SSM3J351RLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4806CS RLG
仓库库存编号：
TSM4806CS RLGTR-ND
别名：TSM4806CS RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4806CS RLG
仓库库存编号：
TSM4806CS RLGCT-ND
别名：TSM4806CS RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4806CS RLG
仓库库存编号：
TSM4806CS RLGDKR-ND
别名：TSM4806CS RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3457CX6 RFGTR-ND
别名：TSM3457CX6 RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3457CX6 RFGCT-ND
别名：TSM3457CX6 RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3457CX6 RFGDKR-ND
别名：TSM3457CX6 RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RS3E075ATTB
仓库库存编号：
RS3E075ATTBCT-ND
别名：RS3E075ATTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMNH6042SK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH6042SK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH6042SK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 80A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMNH6012LK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH6012LK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH6012LK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
详细描述：表面贴装 P 沟道 45V 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH070P05GZETB
仓库库存编号：
RSH070P05GZETBCT-ND
别名：RSH070P05GZETBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL211SPH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL211SPH6327XTSA1CT-ND
别名：BSL211SPH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
型号：
BSL307SPH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL307SPH6327XTSA1CT-ND
别名：BSL307SPH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E080BNTB
仓库库存编号：
RQ3E080BNTBCT-ND
别名：RQ3E080BNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130BNTB
仓库库存编号：
RQ3E130BNTBCT-ND
别名：RQ3E130BNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E100BNTB
仓库库存编号：
RQ3E100BNTBCT-ND
别名：RQ3E100BNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E120BNTB
仓库库存编号：
RQ3E120BNTBCT-ND
别名：RQ3E120BNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E160ADTB
仓库库存编号：
RQ3E160ADTBCT-ND
别名：RQ3E160ADTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
DMN3033LDM-7
仓库库存编号：
DMN3033LDM-7DICT-ND
别名：DMN3033LDM-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E070GNTR
仓库库存编号：
RF4E070GNTRCT-ND
别名：RF4E070GNTRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E110BNTR
仓库库存编号：
RF4E110BNTRCT-ND
别名：RF4E110BNTRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E180GNTB
仓库库存编号：
RQ3E180GNTBCT-ND
别名：RQ3E180GNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E075ATTCR
仓库库存编号：
RF4E075ATTCRCT-ND
别名：RF4E075ATTCRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 2W（Ta） MicroFET 3x3mm
型号：
FDFM2P110
仓库库存编号：
FDFM2P110CT-ND
别名：FDFM2P110CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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