产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 140mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVN0545GTA
仓库库存编号：
ZVN0545GCT-ND
别名：ZVN0545G
ZVN0545GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVNL120GTA
仓库库存编号：
ZVNL120GCT-ND
别名：ZVNL120G
ZVNL120GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 310mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVP2110GTA
仓库库存编号：
ZVP2110GCT-ND
别名：ZVP2110G
ZVP2110GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH065N06TB1
仓库库存编号：
RSH065N06TB1CT-ND
别名：RSH065N06TB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E070BNTB
仓库库存编号：
RQ3E070BNTBCT-ND
别名：RQ3E070BNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E080GNTR
仓库库存编号：
RF4E080GNTRCT-ND
别名：RF4E080GNTRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.9A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
IRLTS2242TRPBF
仓库库存编号：
IRLTS2242TRPBFCT-ND
别名：IRLTS2242TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN3025LFG-7
仓库库存编号：
DMN3025LFG-7CT-ND
别名：DMN3025LFG-7CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3G100GNTB
仓库库存编号：
RQ3G100GNTBCT-ND
别名：RQ3G100GNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5801TRPBF
仓库库存编号：
IRF5801TRPBFCT-ND
别名：IRF5801TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5802TRPBF
仓库库存编号：
IRF5802TRPBFCT-ND
别名：IRF5802TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5806TRPBF
仓库库存编号：
IRF5806TRPBFCT-ND
别名：IRF5806TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
IRLTS6342TRPBF
仓库库存编号：
IRLTS6342TRPBFCT-ND
别名：IRLTS6342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRLMS6802TRPBF
仓库库存编号：
IRLMS6802PBFCT-ND
别名：*IRLMS6802TRPBF
IRLMS6802PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5803TRPBF
仓库库存编号：
IRF5803TRPBFCT-ND
别名：IRF5803TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
型号：
IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号：
IRLMS2002PBFCT-ND
别名：*IRLMS2002TRPBF
IRLMS2002PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH065N03TB1
仓库库存编号：
RSH065N03TB1CT-ND
别名：RSH065N03TB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS065N06FU6TB
仓库库存编号：
RSS065N06FU6TBCT-ND
别名：RSS065N06FU6TBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMN3B04N8TA
仓库库存编号：
ZXMN3B04N8CT-ND
别名：ZXMN3B04N8CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH070P05TB1
仓库库存编号：
RSH070P05TB1CT-ND
别名：RSH070P05TB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5805TRPBF
仓库库存编号：
IRF5805TRPBFCT-ND
别名：IRF5805TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E150BNTB
仓库库存编号：
RQ3E150BNTBCT-ND
别名：RQ3E150BNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMP2120G4TA
仓库库存编号：
ZXMP2120G4CT-ND
别名：ZXMP2120G4CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E130MNTB1CT-ND
别名：RQ3E130MNTB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
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RQ3E100MNTB1
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RQ3E100MNTB1CT-ND
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