产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2
仓库库存编号：
IRF5803D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800TR
仓库库存编号：
IRF5800TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2TR
仓库库存编号：
IRF5803D2TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5803TR
仓库库存编号：
IRF5803TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5804TR
仓库库存编号：
IRF5804TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5805TR
仓库库存编号：
IRF5805TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5802TR
仓库库存编号：
IRF5802TRCT-ND
别名：*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802CT-ND
IRF5802TRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL207SP
仓库库存编号：
BSL207SPINCT-ND
别名：BSL207SPINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL211SP
仓库库存编号：
BSL211SPINCT-ND
别名：BSL211SPINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL307SP
仓库库存编号：
BSL307SPINTR-ND
别名：BSL307SPINTR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7353D1PBFCT-ND
别名：*IRF7353D1TRPBF
IRF7353D1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7321D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7321D2PBFCT-ND
别名：*IRF7321D2TRPBF
IRF7321D2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7322D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7322D1PBFCT-ND
别名：*IRF7322D1TRPBF
IRF7322D1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7353D2PBFCT-ND
别名：*IRF7353D2TRPBF
IRF7353D2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL307SPT
仓库库存编号：
BSL307SPT-ND
别名：SP000012585
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL207SPL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL207SPL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL207SPXTINCT
BSL207SPXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL211SPT
仓库库存编号：
BSL211SPXTINCT-ND
别名：BSL211SPXTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL211SPL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL211SPL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL211SPL6327INCT
BSL211SPL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL307SPL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL307SPL6327INCT
BSL307SPL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL802SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL802SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL802SN L6327INCT
BSL802SN L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800TRPBF
仓库库存编号：
IRF5800TRPBFCT-ND
别名：IRF5800TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF5803D2TRPBFCT-ND
别名：IRF5803D2TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5804TRPBF
仓库库存编号：
IRF5804TRPBFCT-ND
别名：IRF5804TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
SI3443DVTRPBF
仓库库存编号：
SI3443DVTRPBFCT-ND
别名：SI3443DVTRPBFCT
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