产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2W（Ta） MPT6
型号：
RP1L080SNTR
仓库库存编号：
RP1L080SNCT-ND
别名：RP1L080SNTRCT
RP1L080SNTRCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3445DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3445DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3445DV-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
AO6403L
仓库库存编号：
AO6403L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4771L
仓库库存编号：
AO4771L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7421D1
仓库库存编号：
IRF7421D1-ND
别名：*IRF7421D1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7321D2
仓库库存编号：
IRF7321D2-ND
别名：*IRF7321D2
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7321D2TR
仓库库存编号：
IRF7321D2TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7324D1
仓库库存编号：
IRF7324D1-ND
别名：*IRF7324D1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7326D2TR
仓库库存编号：
IRF7326D2CT-ND
别名：IRF7326D2CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D1
仓库库存编号：
IRF7353D1-ND
别名：*IRF7353D1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D1TR
仓库库存编号：
IRF7353D1TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
SI3443DVTR
仓库库存编号：
SI3443DVCT-ND
别名：*SI3443DVTR
SI3443DVCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
型号：
IRLMS6802TR
仓库库存编号：
IRLMS6802CT-ND
别名：*IRLMS6802TR
IRLMS6802
IRLMS6802CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7322D1
仓库库存编号：
IRF7322D1-ND
别名：*IRF7322D1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7322D1TR
仓库库存编号：
IRF7322D1TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7324D1TR
仓库库存编号：
IRF7324D1TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D2
仓库库存编号：
IRF7353D2-ND
别名：*IRF7353D2
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7421D1TR
仓库库存编号：
IRF7421D1TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7422D2TR
仓库库存编号：
IRF7422D2TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
型号：
IRLMS2002TR
仓库库存编号：
IRLMS2002CT-ND
别名：*IRLMS2002TR
IRLMS2002CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5806
仓库库存编号：
IRF5806-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5803
仓库库存编号：
IRF5803-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5804
仓库库存编号：
IRF5804-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800
仓库库存编号：
IRF5800-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
含铅
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MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5805
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IRF5805-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
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