产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC651N
仓库库存编号:
NDC651NCT-ND
别名:NDC651NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC652P
仓库库存编号:
NDC652PCT-ND
别名:NDC652PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS10P02R2
仓库库存编号:
NTMS10P02R2OSCT-ND
别名:NTMS10P02R2OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.5A(Ta) 1.6W(Ta) SC75-6 FLMP
型号:
FDJ128N
仓库库存编号:
FDJ128NCT-ND
别名:FDJ128N_NLCT
FDJ128N_NLCT-ND
FDJ128NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.6W(Ta) SC75-6 FLMP
型号:
FDJ129P
仓库库存编号:
FDJ129PCT-ND
别名:FDJ129P_NLCT
FDJ129P_NLCT-ND
FDJ129PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.2A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC633N
仓库库存编号:
FDC633NCT-ND
别名:FDC633NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SC75-6 FLMP
型号:
FDJ127P
仓库库存编号:
FDJ127P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
SI3442DV
仓库库存编号:
SI3442DV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC631N
仓库库存编号:
NDC631N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 7.5A(Ta) 1.6W(Ta) 9-BGA(2x2.1)
型号:
FDZ203N
仓库库存编号:
FDZ203N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4336DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4336DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4336DY-T1-E3CT
SI4336DYT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 19A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4398DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4398DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4398DY-T1-E3CT
SI4398DYT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4876DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4876DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4876DY-T1-E3CT
SI4876DYT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC636P
仓库库存编号:
FDC636PCT-ND
别名:FDC636PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC632P
仓库库存编号:
NDC632PCT-ND
别名:NDC632PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2612_F095
仓库库存编号:
FDC2612_F095-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3512_F095
仓库库存编号:
FDC3512_F095-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC655AN
仓库库存编号:
FDC655AN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 19A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4398DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4398DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6341-TL-E
仓库库存编号:
869-1141-1-ND
别名:869-1141-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4320DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4320DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4320DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4320DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4404DY-T1-GE3
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产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
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SI4406DY-T1-E3
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