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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP04N03LA
  仓库库存编号：IPP04N03LAIN-ND
  别名：IPP04N03LAIN
  IPP04N03LAX
  IPP04N03LAXTIN
  IPP04N03LAXTIN-ND
  SP000014353
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08INTR-ND
  别名：SPB73N03S2L08INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3103PBF
  仓库库存编号：IRLU3103PBF-ND
  别名：*IRLU3103PBF
  SP001578972
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L08T
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08T-ND
  别名：SP000016257
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 107W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB78NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHB78NQ03LT,118-ND
  别名：934056889118
  PHB78NQ03LT /T3
  PHB78NQ03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD78NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHD78NQ03LT,118-ND
  别名：934056888118
  PHD78NQ03LT /T3
  PHD78NQ03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A SOT533
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU78NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU78NQ03LT,127-ND
  别名：934058326127
  PHU78NQ03LT
  PHU78NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB
  仓库库存编号：IPB04N03LB-ND
  别名：IPB04N03LBT
  SP000064219
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB G
  仓库库存编号：IPB04N03LB G-ND
  别名：IPB04N03LBGXT
  SP000103301
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S3-09
  仓库库存编号：IPB77N06S3-09-ND
  别名：IPB77N06S309XT
  SP000088715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI77N06S3-09
  仓库库存编号：IPI77N06S3-09IN-ND
  别名：IPI77N06S3-09-ND
  IPI77N06S3-09IN
  IPI77N06S309X
  IPI77N06S309XK
  SP000088716
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP04N03LB G
  仓库库存编号：IPP04N03LB G-ND
  别名：IPP04N03LBGX
  SP000064223
  SP000680800
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S3-09
  仓库库存编号：IPP77N06S3-09IN-ND
  别名：IPP77N06S3-09-ND
  IPP77N06S3-09IN
  IPP77N06S309X
  IPP77N06S309XK
  SP000088717
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08 G
  仓库库存编号：SPB73N03S2L-08 G-ND
  别名：SP000200138
  SPB73N03S2L08GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPI73N03S2L-08-ND
  别名：SP000016263
  SPI73N03S2L08X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB04N03LA G
  仓库库存编号：IPB04N03LAGINCT-ND
  别名：IPB04N03LAG
  IPB04N03LAGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD77NQ03T,118
  仓库库存编号：PHD77NQ03T,118-ND
  别名：934060505118
  PHD77NQ03T /T3
  PHD77NQ03T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU77NQ03T,127
  仓库库存编号：PHU77NQ03T,127-ND
  别名：934060504127
  PHU77NQ03T
  PHU77NQ03T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU97NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU97NQ03LT,127-ND
  别名：934061436127
  PHU97NQ03LT
  PHU97NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80N06S3-09
  仓库库存编号：IPD80N06S3-09-ND
  别名：SP000264473
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S405ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4-05
  IPB80N06S4-05-ND
  SP000415566
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S4L05ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4L-05
  IPB80N06S4L-05-ND
  SP000415570
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S405ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-05
  IPD90N06S4-05-ND
  SP000481510
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S4L05ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S4L05ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4L-05
  IPD90N06S4L-05-ND
  SP000415588
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S4L05AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S4L05AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4L-05
  IPI80N06S4L-05-ND
  SP000415692
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 107W（Tc）,
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