产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA130N10T2
仓库库存编号：
IXFA130N10T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA50N20P
仓库库存编号：
IXTA50N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA75N10P
仓库库存编号：
IXTA75N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP50N20P
仓库库存编号：
IXTP50N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ50N20P
仓库库存编号：
IXTQ50N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ75N10P
仓库库存编号：
IXTQ75N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ18N60P
仓库库存编号：
IXTQ18N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ12N80P
仓库库存编号：
IXFQ12N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH18N60P
仓库库存编号：
IXFH18N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N80P
仓库库存编号：
IXFH12N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 360W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA220N04T2-7
仓库库存编号：
IXTA220N04T2-7-ND
别名：IXTA220N04T27
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT16N90Q
仓库库存编号：
IXFT16N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT74N20
仓库库存编号：
IXFT74N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK52N30Q
仓库库存编号：
IXFK52N30Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N15Q
仓库库存编号：
IXFH80N15Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N20
仓库库存编号：
IXFK80N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N20Q
仓库库存编号：
IXFK80N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50Q
仓库库存编号：
IXFH30N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50
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MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50
仓库库存编号：
IXFT30N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 360W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50Q
仓库库存编号：
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MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N15Q
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IXFK80N15Q-ND
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MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT60N25Q
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IXFT60N25Q-ND
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MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH60N25Q
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MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50
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IXTH30N50-ND
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