产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGTR-ND
别名:TSM60N380CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGCT-ND
别名:TSM60N380CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N380CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
STD100N10LF7AG
仓库库存编号:
STD100N10LF7AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP15NM60ND
仓库库存编号:
497-8443-5-ND
别名:497-8443-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 83A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7787PBF
仓库库存编号:
IRFB7787PBF-ND
别名:SP001570798
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK60ZT4
仓库库存编号:
497-12544-2-ND
别名:497-12544-2
STB9NK60ZT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.4A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK65Z
仓库库存编号:
STP9NK65Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
STB7NK80Z-1
仓库库存编号:
497-12539-5-ND
别名:497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N65M2
仓库库存编号:
STL24N65M2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70090E-GE3
仓库库存编号:
SUM70090E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NK50Z
仓库库存编号:
497-12604-5-ND
别名:497-12604-5
STP11NK50Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
TSM60N380CZ C0G
仓库库存编号:
TSM60N380CZ C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM70N380CH C5G
仓库库存编号:
TSM70N380CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60N380CH C5G
仓库库存编号:
TSM60N380CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
STP23NM50N
仓库库存编号:
497-10883-5-ND
别名:497-10883-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) ITO-220
型号:
TSM60N380CI C0G
仓库库存编号:
TSM60N380CI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB15NM60ND
仓库库存编号:
497-8470-1-ND
别名:497-8470-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB24NM60N
仓库库存编号:
497-11211-1-ND
别名:497-11211-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP22NM60N
仓库库存编号:
497-10306-5-ND
别名:497-10306-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW23NM50N
仓库库存编号:
497-10974-5-ND
别名:497-10974-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4C60
仓库库存编号:
AOD4C60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7618-55,118
仓库库存编号:
BUK7618-55,118-ND
别名:934045250118
BUK7618-55 /T3
BUK7618-55 /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 400V 8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD9N40
仓库库存编号:
785-1386-1-ND
别名:785-1386-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-251
型号:
DMG7N65SJ3
仓库库存编号:
DMG7N65SJ3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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