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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CN10LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP12CN10LGXKSA1-ND
  别名：IPP12CN10L G
  IPP12CN10L G-ND
  IPP12CN10LG
  SP000680864
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI086N10N3 G
  IPI086N10N3 G-ND
  IPI086N10N3G
  SP000485982
  SP000683070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD45NF75T4
  仓库库存编号：497-4334-1-ND
  别名：497-4334-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100N6F7
  仓库库存编号：497-15894-1-ND
  别名：497-15894-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP052N08N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP052N08N5AKSA1-ND
  别名：SP001227050
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16249-1-ND
  别名：497-16249-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc）
  
  型号：IRF740ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF740ASTRLPBFCT-ND
  别名：IRF740ASTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11NK50ZT4
  仓库库存编号：497-2451-1-ND
  别名：497-2451-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90P04P405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P04P405ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P04P405ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7787TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7787TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24N60M2
  仓库库存编号：497-14214-1-ND
  别名：497-14214-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK33S10N1Z,LQ
  仓库库存编号：TK33S10N1ZLQCT-ND
  别名：TK33S10N1ZLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840APBF
  仓库库存编号：IRF840APBF-ND
  别名：*IRF840APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD70090E-GE3
  仓库库存编号：SUD70090E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR8314TRPBF
  仓库库存编号：IRFR8314TRPBFCT-ND
  别名：IRFR8314TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 184A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLB8314PBF
  仓库库存编号：IRLB8314PBF-ND
  别名：64-0101PBF
  64-0101PBF-ND
  SP001572766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBF30PBF
  仓库库存编号：IRFBF30PBF-ND
  别名：*IRFBF30PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681040
  SPP11N60C3
  SPP11N60C3BKSA1
  SPP11N60C3IN
  SPP11N60C3IN-ND
  SPP11N60C3X
  SPP11N60C3XIN
  SPP11N60C3XIN-ND
  SPP11N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTH1N200P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM038N04LCP ROG
  仓库库存编号：TSM038N04LCP ROGTR-ND
  别名：TSM038N04LCP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM038N04LCP ROG
  仓库库存编号：TSM038N04LCP ROGCT-ND
  别名：TSM038N04LCP ROGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM038N04LCP ROG
  仓库库存编号：TSM038N04LCP ROGDKR-ND
  别名：TSM038N04LCP ROGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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