产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名：IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRF40H210
仓库库存编号：
IRF40H210CT-ND
别名：IRF40H210CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL640PBF
仓库库存编号：
IRL640PBF-ND
别名：*IRL640PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW5NK100Z
仓库库存编号：
497-7623-5-ND
别名：497-7623-5
STW5NK100Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1N200P3HV
仓库库存编号：
IXTA1N200P3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840LCPBF
仓库库存编号：
IRF840LCPBF-ND
别名：*IRF840LCPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40PBF
仓库库存编号：
IRFBC40PBF-ND
别名：*IRFBC40PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40APBF
仓库库存编号：
IRFBC40APBF-ND
别名：*IRFBC40APBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP7NK80Z
仓库库存编号：
497-15684-5-ND
别名：497-15684-5
STP7NK80Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG30PBF
仓库库存编号：
IRFPG30PBF-ND
别名：*IRFPG30PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N100D2
仓库库存编号：
IXTP3N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N50D2
仓库库存编号：
IXTP3N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N100D2
仓库库存编号：
IXTA3N100D2-ND
别名：623496
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH1N200P3
仓库库存编号：
IXTH1N200P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ30A H
仓库库存编号：
BUZ30A H-ND
别名：BUZ30AH
BUZ30AHXKSA1
SP000682990
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI10N62K3
仓库库存编号：
497-12256-ND
别名：497-12256
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP10N62K3
仓库库存编号：
497-9099-5-ND
别名：497-9099-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） ITO-220
型号：
TSM70N380CI C0G
仓库库存编号：
TSM70N380CI C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBE30LPBF
仓库库存编号：
IRFBE30LPBF-ND
别名：*IRFBE30LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP70090E-GE3
仓库库存编号：
SUP70090E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI22NM60N
仓库库存编号：
497-12259-ND
别名：497-12259
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP14NM65N
仓库库存编号：
497-7024-5-ND
别名：497-7024-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW15NM60N
仓库库存编号：
497-7618-5-ND
别名：497-7618-5
STW15NM60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW21N65M5
仓库库存编号：
497-10654-5-ND
别名：497-10654-5
STW21N65M5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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