产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N380CP ROGDKR-ND
别名：TSM70N380CP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB30NF20
仓库库存编号：
497-7946-1-ND
别名：497-7946-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 125W（Tc）
型号：
IRF9640STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9640STRRPBFCT-ND
别名：IRF9640STRRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP11N60
仓库库存编号：
FCP11N60-ND
别名：FCP11N60_NL
FCP11N60_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB14NM65N
仓库库存编号：
497-7000-1-ND
别名：497-7000-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP11N52K3
仓库库存编号：
497-11870-5-ND
别名：497-11870-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB22NM60N
仓库库存编号：
497-10298-1-ND
别名：497-10298-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI21N65M5
仓库库存编号：
497-11328-5-ND
别名：497-11328-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP15NM65N
仓库库存编号：
497-11871-5-ND
别名：497-11871-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASPBF
仓库库存编号：
IRFBC40ASPBF-ND
别名：*IRFBC40ASPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE30PBF
仓库库存编号：
IRFPE30PBF-ND
别名：*IRFPE30PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW15NM60ND
仓库库存编号：
497-8452-5-ND
别名：497-8452-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-247
型号：
STW24NM60N
仓库库存编号：
497-12705-5-ND
别名：497-12705-5
STW24NM60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 35A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 125W（Tc） TO-247
型号：
TPH3205WSBQA
仓库库存编号：
TPH3205WSBQA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），50A（Tc） 125W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD14AN06LA0_F085
仓库库存编号：
FDD14AN06LA0_F085CT-ND
别名：FDD14AN06LA0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP086N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP086N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP086N10N3 G
IPP086N10N3 G-ND
IPP086N10N3G
SP000680840
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB14AN06LA0_F085
仓库库存编号：
FDB14AN06LA0_F085CT-ND
别名：FDB14AN06LA0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB7NK80ZT4
仓库库存编号：
497-6557-1-ND
别名：497-6557-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB11N52K3
仓库库存编号：
497-11839-1-ND
别名：497-11839-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc）
型号：
IRF840ASTRRPBF
仓库库存编号：
IRF840ASTRRPBFCT-ND
别名：IRF840ASTRRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB11N60TM
仓库库存编号：
FCB11N60TMCT-ND
别名：FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLCT-ND
FCB11N60TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 125W（Tc） Power88
型号：
FCMT299N60
仓库库存编号：
FCMT299N60CT-ND
别名：FCMT299N60CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB23NM50N
仓库库存编号：
497-10874-1-ND
别名：497-10874-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24N60DM2
仓库库存编号：
497-16940-1-ND
别名：497-16940-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB21N65M5
仓库库存编号：
497-10562-1-ND
别名：497-10562-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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